NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用
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圖3是從K9K8G08UOM存儲器中存入數(shù)據(jù)以后通過上位機(jī)軟件讀取的數(shù)據(jù)。經(jīng)驗(yàn)證，讀取的數(shù)據(jù)與往K9K8G08UOM存儲器中寫入的數(shù)據(jù)一致。
2 NAND FLASkI Memory的硬件部分
本設(shè)計(jì)當(dāng)中，FLASH的數(shù)據(jù)輸入輸出口、控制端口通過調(diào)理電路與FPGA的端口相連，圖4所示是其硬件連接電路。
從圖4中可知，FLASH的數(shù)據(jù)輸入輸出端口I／00～7、控制端口／CE、是通過芯片SN54LV245與FPGA相連；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通過芯片SN54LV245和芯片74HCl4與ITGA相連。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F-R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA邏輯的輸入輸出口。CLE、ALE信號是FLASH存儲器命令、地址鎖存使能信號,／WE是保證命令、地址、數(shù)據(jù)能否及時(shí)正確的寫入FLASH的信號，／RE信號控制著數(shù)據(jù)的讀取，這些信號的精確度關(guān)系著FLASH存儲、讀數(shù)功能的實(shí)現(xiàn)。所以，這些信號的好壞直接關(guān)系著FLASH的正常工作。經(jīng)實(shí)踐的電路調(diào)試，這些信號在傳輸過程中受到了其它因素的干擾，信號明顯失真，在電路中加入74HCl4(非門)以后，信號會變得光滑，準(zhǔn)確。
芯片SN54LV245是八進(jìn)制三態(tài)總線收發(fā)器，DIR=1時(shí)，總線傳輸方向從A→B；DIR=0時(shí)，總線傳輸方向從B→A。／OE是片選信號。／0E，DIR信號是由FPGA內(nèi)部編程邏輯控制的。
FL,ASH接口中，為了保證／wE、／RE、／CE、R／B控制信號初始狀態(tài)無效，由硬件電路實(shí)現(xiàn)端口值拉高。本設(shè)計(jì)中不使用寫保護(hù)功能，所以／WP端口也接上了上拉電阻。
3 結(jié)束語
基于閃存技術(shù)的固態(tài)存儲器存儲密度大，功耗小，可靠性高，體積小重量輕且成本也在不斷降f氐，在航空應(yīng)用中有良好的應(yīng)用前景。在設(shè)計(jì)儲存測試系統(tǒng)時(shí)選用大容量的NAIXD FLASH存儲器大大提高了儲存、讀取速度，并且設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)簡單，易于修改。
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