G652D光纖宏彎損耗測試方法

　　光纖宏彎損耗測試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB。

　　而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈光纖進(jìn)行試驗(yàn)，在此情況下，繞的圈數(shù)環(huán)的半徑和最大允許的彎曲損耗都應(yīng)該與30mm半徑100圈試驗(yàn)的損耗值相適應(yīng)。

　　大多光纖廠家都提供Φ60mm*100圈的判斷標(biāo)準(zhǔn)，然而，在日常的測試工作中，若要采用方便快捷的實(shí)驗(yàn)方法，則傾向于按照注2中的建議去進(jìn)行一些常規(guī)判斷。因此，掌握Φ32mm*1圈與Φ60mm*100圈的數(shù)據(jù)差異就十分有必要。

　　Φ32mm*1宏彎測試更為簡便

　　兩種宏彎損耗測試方法示意圖如圖1所示。

　　用上述方法對(duì)10盤正常生產(chǎn)條件下的光纖樣品進(jìn)行對(duì)比測試。

　　分別在1310nm、1550nm、1625nm三種波長下，對(duì)10盤光纖樣品的宏彎平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，最后將全部數(shù)據(jù)匯總，得到圖2。

　　從整體數(shù)據(jù)匯總圖可看出，Φ32mm*1宏彎測試方法所得數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差都比 Φ60mm*100的要小，且數(shù)據(jù)相對(duì)穩(wěn)定，重復(fù)性好。當(dāng)然所抽樣品也不是完全都遵循此規(guī)律，10個(gè)樣品中有3個(gè)樣品在1625nm窗口下Φ32mm*1 所得數(shù)據(jù)的平均值大于Φ60mm*100所測得的;還有1個(gè)樣品在1550nm、1625nm窗口下所得數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差大于Φ60mm*100的。

　　10個(gè)樣品用兩種測試方法所得數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差相差不大，處于一個(gè)數(shù)據(jù)等級(jí)內(nèi)。Φ32mm*1的判斷標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)考慮的與60mm*100比較接近。

　　在測試過程中，Φ32mm*1宏彎測試方法易于操作，能減少測試誤差，根據(jù)GB/T 9771.3-2008宏彎損耗的說明，Φ32mm*1宏彎測試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡便方法。

　　Φ60mm*100作為標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定一種方法，其準(zhǔn)確性的提高需依賴于測試裝置的改良，如保證光纖以盡可能一致的直徑、適宜的張力纏繞100圈。

　　截止波長與宏彎損耗存在相關(guān)性

　　為更好地摸索宏彎損耗與截止波長的關(guān)系，隨機(jī)抽取760個(gè)樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如圖3、圖4所示。

　　由圖3可明顯看出1625nm的數(shù)據(jù)較1550nm窗口下宏彎損耗分散，實(shí)際數(shù)據(jù)證實(shí)長波長對(duì)彎曲的敏感程度更甚。

　　由圖4可看出1625nm宏彎損耗相對(duì)集中時(shí)對(duì)應(yīng)的截止波長也相對(duì)集中分布在1210nm～1290nm，截止波長越小，宏彎損耗越大，且分布散亂無規(guī)律。

　　通過以上分析，可以看出截止波長對(duì)宏彎損耗有一定的影響，當(dāng)截止波長分布在1210nm～1290nm范圍內(nèi)時(shí)，1550nm、1625nm窗口下宏彎損耗相對(duì)集中，數(shù)據(jù)穩(wěn)定，這為光纖廠商優(yōu)化工藝改善宏彎損耗提供了有利的數(shù)據(jù)依據(jù)。