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          FLASH存儲器的測試方法研究

          作者: 時間:2009-07-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1.引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/195793.htm

          隨著當(dāng)前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大,的用量迅速增長。芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點,在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批芯片研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用企業(yè)。為保證芯片長期可靠的工作,這些企業(yè)需要在產(chǎn)品出廠前對FLASH進行高速和細致地,因此,高效FLASH算法的研究就顯得十分必要。

          不論哪種類型存儲器的,都不是一個十分簡單的問題,不能只將存儲器內(nèi)部每個存儲單元依次測試一遍就得出結(jié)論,這是因為每一個存儲單元的改變都有可能影響存儲器內(nèi)部其他單元的變化(這種情況又是常常發(fā)生的)。這種相關(guān)性產(chǎn)生了巨大的測試工作量[1]。另外,F(xiàn)LASH存儲器有其自身的特點,它只能將存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)從“1”寫為“0”,而不能從“0”寫為“1”,若想實現(xiàn)“0”->“1”操作,只能把整個扇區(qū)或整個存儲器的數(shù)據(jù)擦除,而擦除操作要花費大量的時間。FLASH存儲器還有其他特性,比如讀寫速度慢、寫數(shù)據(jù)之前要先寫入狀態(tài)字、很多FLASH只適于順序讀寫而不適于跳轉(zhuǎn)操作等,這些特點都制約了FLASH存儲器的測試。

          為解決FLASH測試中的這些問題,人們提出了應(yīng)用內(nèi)建自測試[2]或利用嵌入式軟件[3]等測試方法測試相關(guān)性能,都取得了比較好的效果,但這些方法大多不適用于利用測試儀進行批量的產(chǎn)品測試。而多數(shù)對通用存儲器測試很有效的算法,由于受到FLASH器件自身的限制(如不能不能直接從“0”寫為“1”),很難直接適用于FLASH測試。

          文本在簡單介紹FLASH芯片的結(jié)構(gòu)與特點之后,說明了FLASH存儲器測試程序原理。在此基礎(chǔ)上,分析和改進了幾種通用的存儲器測試方法,使之能有效地應(yīng)用于FLASH測試中。這些方法簡單高效,故障覆蓋率高,并且可以快速預(yù)先產(chǎn)生,與其他一些測試算法[4][5]相比,更適于應(yīng)用在測試儀中進行工程測試。本文分析了這些方法的主要特點,在此基礎(chǔ)之上,介紹了實際FLASH存儲器測試中應(yīng)用的流程。

          2.FLASH芯片的結(jié)構(gòu)特征

          FLASH存儲器種類多樣,其中最為常用的為NOR型和NAND型FLASH。通常,NOR型比較適合存儲程序代碼,其隨機讀寫速度快,但容量一般較小(比如小于32 MB),且價格較高;而NAND型容量可達lGB以上,價格也相對便宜,適合存儲數(shù)據(jù),但一般只能整塊讀寫數(shù)據(jù),隨機存取能力差。它們對數(shù)據(jù)的存取不是使用線性地址映射,而是通過寄存器的操作串行存取數(shù)據(jù)。

          一般來說,不論哪種類型的FLASH,都有一個ID寄存器,用來讀取存儲器信息,可根據(jù)供應(yīng)商提供的芯片資料進行具體的類型判斷。另外,F(xiàn)LASH存儲器的擦除過程相對費時,且擦除流程相對復(fù)雜。圖1為FLASH芯片擦除的一般流程。

          可見,擦除數(shù)據(jù)的操作限制了FLASH芯片的工作速度。此外,其他一些特性,比如讀寫速度慢、寫數(shù)據(jù)之前要先寫入狀態(tài)字、很多FLASH都設(shè)有冗余單元等等,這些特點都制約了測試速度的提高。因此,設(shè)計合理的方法,或?qū)讐KFLASH并測,并且應(yīng)用測試算法減少測試時間就顯得十分必要。

          3.系統(tǒng)連接

          本文選用的芯片為AMD公司的NOR型FLASH――Am29LV400B及三星公司的NAND型FLASH K9F5608UOB,它們都可通過44 PIN專用適配器和數(shù)字電路測試儀的數(shù)字通道直接相連。我們所采用的硬件實驗平臺是北京自動測試技術(shù)所開發(fā)的BC3192數(shù)模混合測試系統(tǒng),該系統(tǒng)可提供工作速度快,算法圖形產(chǎn)生方式靈活,非常適合測試需要。

          4.測試實現(xiàn)方法

          假設(shè)存儲器可選址的存儲單元數(shù)為N,由于存儲器芯片每次只能訪問一個存儲單元,每個單元只有“0”或“1”兩種狀態(tài),所以所有可能出現(xiàn)的狀態(tài)共2N種。由于選取的地址又是隨機的,所以,當(dāng)測試步數(shù)為M時,選址序列組合可能有2N NM種之多。即使采用全“0”或全“1”兩種圖案測試,總的測試圖形也將有2NM種,這是個巨大的數(shù)字。


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