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          FLASH存儲器的測試方法研究

          作者: 時間:2009-07-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          為了能夠有效地檢測芯片,必須分析半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),確定和選擇幾種能夠有效檢驗功能的圖形,使之既能達到檢測目的,又使量限定在允許范圍之內(nèi)。但實際應(yīng)用中,由于每種圖形都有其局限性,再加上各個生產(chǎn)廠家以及各種型號存儲器的特性不完全一致,現(xiàn)在還沒有最佳的統(tǒng)一方法。

            根據(jù)芯片的特點,我們主要改進并使用了以下幾種辦法:

          4.1 奇偶校驗圖形檢驗法

          奇偶校驗圖形檢驗法[6]是一種比較適合存儲器測試的方法。在奇偶性圖形檢驗法中,向存儲單元矩陣寫入的數(shù)據(jù)圖案是根據(jù)存儲單元選址地址碼的奇偶性而定的。如果存儲單元的行地址碼和列地址碼中有偶數(shù)個1,其奇偶性為0,則在該存儲單元中寫入“0”(或“1”);如果有奇數(shù)個1,其奇偶性為1,則在該存儲單元中寫入“1”(或“0”);存儲單元矩陣存入的信號數(shù)據(jù)將是行地址碼和列地址碼之間的異或關(guān)系,其算法如下:


          式中Pr為行地址的奇偶性,Pc為列地址的奇偶性。

          芯片奇偶性圖形功能檢測的流程是:首先根據(jù)算法寫入背景圖形,然后逐位讀出并檢驗結(jié)果的正確性,再將芯片數(shù)據(jù)擦除,以反碼圖形重復(fù)上述測試過程。其總的測試步數(shù)為M=4N。

          由于奇偶性圖形是不對稱的,任何一位的地址譯碼器失效都會引起本應(yīng)寫入互為反碼數(shù)據(jù)的兩個存儲單元之一重復(fù)選址,并且第二次選址改變了第一次選址時寫入的內(nèi)容,而另一個存儲單元未被訪問。因此地址奇偶性圖形可以很好地檢驗出地址譯碼器的故障。

          奇偶性圖形每次都把整個存儲器單元寫完后再整體讀出,沒有反復(fù)擦除的過程(整個過程只需擦除兩次),非常適用于芯片測試。

          4.2 齊步法

          齊步法[6]是對存儲器的每個單元依次進行檢驗的一種方法。首先從第一個存儲單元開始,逐個對每個單元進行取反和檢驗,直到最后一個單元檢測結(jié)束才完成一遍掃描。然后,在背景為反碼的情況下,從第一個存儲單元開始,逐個對每個單元進行取反和檢驗,直到最后一個單元檢測結(jié)束。整個過程就像所有單元一起向前走步一樣,因此稱為“齊步法”。根據(jù)FLASH芯片特點,我們改變在反碼背景條件下走步的過程,把它改造如下,形成了適合的齊步算法。

          在圖2中給出了測試FLASH齊步法的測試流程:

          在測試之前,每個存儲單元具有信息“1”。首先在存儲矩陣中寫入背景圖案(初始狀態(tài)為全“1”),然后從地址A0開始選址進行讀“1”,寫“0”,讀“0”操作,并檢驗讀出結(jié)果。接著,依次到下一個選址單元重復(fù)該操作(讀“1”,寫“0”,讀“0”),直到全部存儲單元(A=N-1)重復(fù)完為止。再在讀操作方式下對全部存儲單元進行一次正向掃描讀出,檢查有無正向?qū)Ψ聪虻亩嘀貙懭雴栴}。然后將存儲器輸入擦除,使之全部單元為全“1”。進而開始反向掃描:從最高地址AN-1開始執(zhí)行讀“1”,寫“0”,讀“0”操作,逐位進行上述操作過程,直至最終地址為AN-1,最后對全部存儲單元進行讀“0”掃描,以檢驗讀出結(jié)果的正確性。

          用這種測試算法檢測存儲芯片,可使每個存儲單元都被訪問。既能保證每個存儲單元都能存儲“1”和“0”數(shù)據(jù),又能保證每個存儲單元都受到周圍其他單元的讀“1”、讀“0”和寫“1”、寫“0”的打擾。齊步法總的測試步數(shù)為:



          式(3)中,W表示寫操作,R表示讀操作,Q表示“1”, 表示“0”。Bij表示存儲器第i行j列的存儲單元。如WBij(Q)就表示對第i行j列的存儲單元進行寫“1”操作所用的時間。

          由式(3)可知,其測試步數(shù)共9N,且整個過程只需兩次擦除操作,可見它是一種即快速又有效的方法。

          4.3 移動變反法

          移動變反測試法[6]是按順序變反每個地址存儲單元數(shù)據(jù)的方法。它需要在變反前后讀出每個存儲單元的數(shù)據(jù),而且,還必須借助于前進和后退的地址尋址序列產(chǎn)生地址跳躍,地址以20、21…、2n-1次方的增量變化(n是地址位數(shù))。按照以上規(guī)律進行地址跳變后,再對每個地址進行三次操作:讀、寫和讀即可完成一個循環(huán)。

          以上操作的目的主要在于地址間產(chǎn)生有效相互打擾,但顯然如果以整個芯片為單元進行上述操作需要多次擦除數(shù)據(jù),因此對FLASH測試芯片應(yīng)做如此改進:以扇區(qū)為單元完成操作。假設(shè)FLASH芯片有N個扇區(qū),移動變反法的功能測試先要以“1”為背景圖案寫入全部存儲單元。首先,在第一個扇區(qū),對A0存儲單元讀出并驗證是“1”,再將該存儲單元改寫成“0”,最后讀出該存儲單元的信息以證明新寫入的“0”仍存于該存儲單元中。第一扇區(qū)測試地址按有效位的階20遞增,對每個存儲單元都要重復(fù)上述的讀“1”,寫“0”讀“0”的操作過程,需要測試步長為3n(n為該扇區(qū)的存儲單元數(shù))才能使全部的存儲單元都變成“0”。這次測試的地址序列是遞增1的,即由地址最低位A0增加到最高位A(n-1),對A(n-1)存儲單元進行讀“1”,寫“0”和讀“0”驗證。



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