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          高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導(dǎo)體、科學(xué)

          作者: 時(shí)間:2009-03-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

             圖4 電源MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間的設(shè)置。

             圖5 AFG3011直接在顯示器上顯示。

             圖6 電源MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

            與時(shí)間相關(guān)需要關(guān)注的參數(shù)是起動(dòng)時(shí)延和關(guān)閉時(shí)延及上升時(shí)間和下降時(shí)間。為這些參數(shù),應(yīng)使用來(lái)自信號(hào)發(fā)生器輸入的窄脈沖激勵(lì)MOSFET的門(mén),然后使用示波器測(cè)量門(mén)電壓和漏電壓(參見(jiàn)圖4)。

            通過(guò)使用集成高輸出階段的/函數(shù)發(fā)生器,而不是外部放大器,用戶(hù)可以直接查看MOSFET輸入電路上的有效信號(hào),而不需使用示波器測(cè)量幅度。

            現(xiàn)在,通過(guò)示波器屏幕顯示的曲線中的光標(biāo)測(cè)量,可以方便地確定起動(dòng)時(shí)延。起動(dòng)時(shí)延是從門(mén)源電壓達(dá)到最后值10%時(shí)到漏源電壓下降到初始值90%時(shí)所需的時(shí)間。類(lèi)似的,關(guān)閉時(shí)延是從門(mén)源電壓下降到前一水平90%時(shí)到漏源電壓上升到供電電壓10%時(shí)所需的時(shí)間。為測(cè)量漏極信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間,現(xiàn)代示波器提供了方便的自動(dòng)化測(cè)量功能。

             圖7 IGBT電路符號(hào)和等效電路。

             圖8 IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)測(cè)試電路。



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