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	 > 模擬技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%
          
						
          
				作者：
				時間：2016-01-07
				來源：中國國防科技信息中心
				
				
				
				
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          　　盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續(xù)推動砷化鎵市場發(fā)展。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201601/285387.htm

          　　據(jù)美國市場研究和咨詢公司——信息網(wǎng)絡(luò)公司稱，強(qiáng)大的無線通信需求使砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%。
          

          　　每個手機(jī)都包含基于砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)技術(shù)的功率放大器(PA)。一個2G手機(jī)包含一個PA，而一個3G手機(jī)通常含有多達(dá)五個PA。蘋果的4G智能手機(jī)6S包含六個PA：Avago的ACPM-7600和ACPM-8010，高通的QFE2320和QFE2340，和Skyworks的sky85303和sky85707。
          

          　　該公司的“砷化鎵集成電路市場”報告稱，雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產(chǎn)品替代，繼續(xù)失去市場份額，但在可預(yù)見的未來，仍將在RF技術(shù)領(lǐng)域占主導(dǎo)地位。
          

          　　PA的定價已經(jīng)從每個2G手機(jī)0.30美元提高到每個3G手機(jī)1.25美元，全球長期演進(jìn)(LTE)技術(shù)中的PA為3.25美元。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            砷化鎵
                        集成電路
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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