物聯(lián)網將如何影響半導體芯片廠商？

　　由EEVIA主辦的第五屆年度ICT媒體論壇暨2016產業(yè)和技術趨勢展望研討會在深圳舉行，在會上，眾多知名芯片廠商大咖對物聯(lián)網市場進行了預測，同時探討了物聯(lián)網進程中IC設計廠商所面臨的挑戰(zhàn)。

　　GaN與SiC的差價將變小

　　IC設計對于整個半導體產業(yè)非常重要，半導體材料則能影響整個半導體行業(yè)的發(fā)展。半導體產業(yè)的發(fā)展先后經歷了以硅(Si)為代表的第一代半導體材料，以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料。如今，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導體材料以更大的優(yōu)勢力壓第一、二代半導體材料成為佼佼者，統(tǒng)稱第三代半導體材料。對于目前較為成熟的氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC) ，富士通電子元器件市場部高級經理蔡振宇給出了他的理解。

　　他認為，SiC與GaN兩種材料都具備良好的開關特性以及適用于高壓應用，GaN在導通電壓、反向截止、載流子等方面的特性優(yōu)于Si和SiC，Cascode Structure GaN-HEMT器件不僅能夠方便的使用，在性能上也比Cool Mos有較大的改進。具體的應用到產品中，GaN器件產品相比SiC器件產品能夠在尺寸、重量以及性能上都有一定幅度的提升。不過，目前GaN產品的價格偏高制約其廣泛應用，蔡振宇表示：“隨著生產工藝的成熟以及市場需求的增大，未來幾年GaN與SiC的差價將會微乎其微?！?/p>

　　網絡連接與傳感器的改變

　　在對物聯(lián)網的分析上，Cypress半導體模擬芯片產品經理李東東說：“物聯(lián)網最為核心的就是網絡連接與傳感器。”網絡連接方面，Qorvo移動產品市場戰(zhàn)略部亞太區(qū)經理陶鎮(zhèn)分享了他的觀點，隨著移動設備數(shù)量的增多以及消費者對于網速需求的提高，射頻器件的需求量在迅速增加，其在智能手機成本的比重也在上升，相應器件的復雜程度也隨之增大。

　　陶鎮(zhèn)說：“為了提高網絡速率，一方面需要改變網絡制式，另一方面則要增加載波數(shù)來提高帶寬，這兩方面的改變也將大大提高對RF器件的要求，傳統(tǒng)的分立的半導體器件已經難以適應未來的需求。因此最佳的解決方案就是集成化?！标P于5G，他表示6GHz將會作為分界點，用6GHz以下做廣域覆蓋，6GHz以上做熱點覆蓋，Qorovo將會關注頻譜以及上行和下行的調制解調方式來推出集成化的最佳解決方案。

　　傳感器作為物聯(lián)網的另一大核心，ADI亞太區(qū)微機電產品市場和應用經理趙延輝表示：“物聯(lián)網的發(fā)展離不開各種各樣的傳感器，它們是將自然界中的信號轉換成電信號的第一步，而后才是各種各樣的后處理及組網方式?！?/p>

　　數(shù)據(jù)顯示，醫(yī)療MEMS傳感器未來幾年將會迎來最大幅度的增長，可穿戴設備也是驅動市場增長的主要動力。目前可穿戴設備的麥克風、氣壓計、陀螺儀等都使用了MEMS傳感器。在汽車、家電、智能手機、可穿戴設備之后，MEMS將有非常巨大的市場。但MEMS同樣面臨挑戰(zhàn)，趙延輝表示：“更低的功率、更小的尺寸和厚度以及更高的集成度都是挑戰(zhàn)，但ADI的產品在功率、準確性、小尺寸方面都有明顯的優(yōu)勢，知名的小米手環(huán)就采用了ADI MEMS?！?/p>

　　低功耗與無線充電

　　低功率不僅是MEMS設計的一大個挑戰(zhàn)，也是移動設備都面臨的挑戰(zhàn)。低功率的最大目的是為了能夠讓移動設備能夠在保證輕薄化的基礎上有更長時間的續(xù)航來提升產品體驗。除了從功耗入手，能夠擁有更加方便快捷的充電方式是另一種解決思路。