物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？
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由EEVIA主辦的第五屆年度ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)趨勢展望研討會在深圳舉行，在會上，眾多知名芯片廠商大咖對物聯(lián)網(wǎng)市場進行了預(yù)測，同時探討了物聯(lián)網(wǎng)進程中IC設(shè)計廠商所面臨的挑戰(zhàn)。
GaN與SiC的差價將變小
IC設(shè)計對于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)非常重要，半導(dǎo)體材料則能影響整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展先后經(jīng)歷了以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料。如今，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料以更大的優(yōu)勢力壓第一、二代半導(dǎo)體材料成為佼佼者，統(tǒng)稱第三代半導(dǎo)體材料。對于目前較為成熟的氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC) ，富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理蔡振宇給出了他的理解。
他認為，SiC與GaN兩種材料都具備良好的開關(guān)特性以及適用于高壓應(yīng)用，GaN在導(dǎo)通電壓、反向截止、載流子等方面的特性優(yōu)于Si和SiC，Cascode Structure GaN-HEMT器件不僅能夠方便的使用，在性能上也比Cool Mos有較大的改進。具體的應(yīng)用到產(chǎn)品中，GaN器件產(chǎn)品相比SiC器件產(chǎn)品能夠在尺寸、重量以及性能上都有一定幅度的提升。不過，目前GaN產(chǎn)品的價格偏高制約其廣泛應(yīng)用，蔡振宇表示：“隨著生產(chǎn)工藝的成熟以及市場需求的增大，未來幾年GaN與SiC的差價將會微乎其微?！?/p>
網(wǎng)絡(luò)連接與傳感器的改變
在對物聯(lián)網(wǎng)的分析上，Cypress半導(dǎo)體模擬芯片產(chǎn)品經(jīng)理李東東說：“物聯(lián)網(wǎng)最為核心的就是網(wǎng)絡(luò)連接與傳感器。”網(wǎng)絡(luò)連接方面，Qorvo移動產(chǎn)品市場戰(zhàn)略部亞太區(qū)經(jīng)理陶鎮(zhèn)分享了他的觀點，隨著移動設(shè)備數(shù)量的增多以及消費者對于網(wǎng)速需求的提高，射頻器件的需求量在迅速增加，其在智能手機成本的比重也在上升，相應(yīng)器件的復(fù)雜程度也隨之增大。
陶鎮(zhèn)說：“為了提高網(wǎng)絡(luò)速率，一方面需要改變網(wǎng)絡(luò)制式，另一方面則要增加載波數(shù)來提高帶寬，這兩方面的改變也將大大提高對RF器件的要求，傳統(tǒng)的分立的半導(dǎo)體器件已經(jīng)難以適應(yīng)未來的需求。因此最佳的解決方案就是集成化?！标P(guān)于5G，他表示6GHz將會作為分界點，用6GHz以下做廣域覆蓋，6GHz以上做熱點覆蓋，Qorovo將會關(guān)注頻譜以及上行和下行的調(diào)制解調(diào)方式來推出集成化的最佳解決方案。
傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)的另一大核心，ADI亞太區(qū)微機電產(chǎn)品市場和應(yīng)用經(jīng)理趙延輝表示：“物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展離不開各種各樣的傳感器，它們是將自然界中的信號轉(zhuǎn)換成電信號的第一步，而后才是各種各樣的后處理及組網(wǎng)方式?！?/p>
數(shù)據(jù)顯示，醫(yī)療MEMS傳感器未來幾年將會迎來最大幅度的增長，可穿戴設(shè)備也是驅(qū)動市場增長的主要動力。目前可穿戴設(shè)備的麥克風(fēng)、氣壓計、陀螺儀等都使用了MEMS傳感器。在汽車、家電、智能手機、可穿戴設(shè)備之后，MEMS將有非常巨大的市場。但MEMS同樣面臨挑戰(zhàn)，趙延輝表示：“更低的功率、更小的尺寸和厚度以及更高的集成度都是挑戰(zhàn)，但ADI的產(chǎn)品在功率、準確性、小尺寸方面都有明顯的優(yōu)勢，知名的小米手環(huán)就采用了ADI MEMS?！?/p>
低功耗與無線充電
低功率不僅是MEMS設(shè)計的一大個挑戰(zhàn)，也是移動設(shè)備都面臨的挑戰(zhàn)。低功率的最大目的是為了能夠讓移動設(shè)備能夠在保證輕薄化的基礎(chǔ)上有更長時間的續(xù)航來提升產(chǎn)品體驗。除了從功耗入手，能夠擁有更加方便快捷的充電方式是另一種解決思路。
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