2016年臺(tái)積電三星英特爾資本支出預(yù)計(jì)增5.4%

　　由于終端市場(chǎng)需求趨緩，在供給提升速度大于需求成長(zhǎng)速度下，TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估2016年全球晶圓代工產(chǎn)值年成長(zhǎng)僅2.1%，半導(dǎo)體大廠的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。

　　估計(jì)2016年三大半導(dǎo)體制造大廠資本支出金額預(yù)期較2015年成長(zhǎng)5.4%，其中，英特爾(Intel)調(diào)升30%達(dá)95億美元、臺(tái)積電(TSMC)調(diào)升17%達(dá)95億美元，三星(Samsung)則逆勢(shì)調(diào)降15%，來(lái)到115億美元。拓墣表示，今年半導(dǎo)體大廠的資本支出預(yù)計(jì)至2017年才有機(jī)會(huì)對(duì)營(yíng)收產(chǎn)生貢獻(xiàn)。

　　臺(tái)積電2016年有三大投資重點(diǎn)

　　拓墣表示，在上述半導(dǎo)體三巨頭，中臺(tái)積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無(wú)直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，可專注于制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。2016年臺(tái)積電資本支出約70%用于先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，其中大部分用在10奈米制程技術(shù)，可見(jiàn)臺(tái)積電對(duì)10奈米制程研發(fā)的重視。

　　臺(tái)積電資本支出的10%則將持續(xù)投入InFO技術(shù)的開(kāi)發(fā);InFO技術(shù)有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩(wěn)定度高的優(yōu)勢(shì)，已有少數(shù)大客戶開(kāi)始投單，預(yù)期未來(lái)將有更多客戶陸續(xù)投入。為了就近服務(wù)廣大的中國(guó)市場(chǎng)，臺(tái)積電規(guī)劃30億美元用于中國(guó)南京12寸廠的建置，預(yù)期在2018年投產(chǎn)。今年南京廠計(jì)畫(huà)先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。

　　三大半導(dǎo)體廠資本支出

　　三星2016年以半導(dǎo)體事業(yè)為重心

　　智慧型手機(jī)是三星最重要的業(yè)務(wù)，在終端市場(chǎng)需求趨緩、手機(jī)差異化縮小的情況下，三星受到蘋(píng)果(Apple)與中國(guó)品牌的激烈競(jìng)爭(zhēng)。根據(jù)三星財(cái)報(bào)顯示，2015年?duì)I收年衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智慧型手機(jī)，去年三星半導(dǎo)體營(yíng)收年成長(zhǎng)20%、記憶體年成長(zhǎng)17%，LSI業(yè)務(wù)年成長(zhǎng)則約27.7%，表現(xiàn)十分亮眼。

　　拓墣指出，2016年三星的智慧型手機(jī)業(yè)務(wù)拓展仍不樂(lè)觀，除加速開(kāi)發(fā)創(chuàng)新業(yè)務(wù)，將更加重視晶圓代工業(yè)務(wù)，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，LSI業(yè)務(wù)會(huì)維持與2015年35億美元的相同水準(zhǔn)。

　　英特爾擴(kuò)展記憶體相關(guān)業(yè)務(wù)

　　英特爾雖然在14/16奈米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)上領(lǐng)先，但臺(tái)積電與三星若在10奈米的技術(shù)上趕超，將使英特爾在CPU產(chǎn)品上面臨強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，嚴(yán)重挑戰(zhàn)英特爾自1995年來(lái)的領(lǐng)先地位。2016年英特爾將持續(xù)擴(kuò)大資本支出以維持制程領(lǐng)先，相關(guān)資本支出約達(dá)80億美元。

　　在資料中心的競(jìng)爭(zhēng)中，2015年英特爾與美光(Micron)聯(lián)合發(fā)表包含3D-NAND與Xpoint等用于記憶體的技術(shù)，此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成記憶體制造廠。估計(jì)2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在記憶體相關(guān)業(yè)務(wù)。