美光下半年SSD出貨將以3D NAND為主，容量更大、速度更快
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3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，以垂直方式堆疊32層的儲存單元，號稱是全球密度最高的快閃記憶體，容量可達(dá)到其他NAND記憶體的3倍，并具有快速讀寫效能，帶來更便宜每GB成本及省電特性。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201602/286927.htm
根據(jù)外電報導(dǎo)，半導(dǎo)體業(yè)者美光(Micron)于上周舉行的分析師會議中透露，今年下半年出貨的固態(tài)硬碟(Solid State Drive，SSD)中，大部份都將是基于3D NAND技術(shù)的產(chǎn)品。
3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，以垂直方式堆疊32層的儲存單元，實(shí)現(xiàn)256Gb的多階儲存單元(multilevel cell，MLC)與384Gb的3階儲存單元(triple-level cell，TLC)，號稱是全球密度最高的快閃記憶體，高密度的特性讓它的容量可達(dá)到其他NAND記憶體的3倍，標(biāo)榜只要AA電池大小的SSD就能具備3.5TB的儲存容量，2.5寸的SSD則能有10TB的儲存容量。
↓3D NAND類似建筑一棟大樓，以垂直堆疊方式增加記憶體的容量，提高儲存單位的密度。(圖片來源：美光)
其實(shí)美光與英特爾(Intel)在去年3月就共同發(fā)表了3D NAND快閃記憶體，當(dāng)時亦已開始送樣，該類記憶體的優(yōu)點(diǎn)除了高密度之外，還包括快速的讀寫效能、更便宜的每GB成本，以及可用來省電的新睡眠模式等。
現(xiàn)階段3D NAND的每GB成本仍高于平面NAND，但隨著3D NAND單一晶圓可裝載的儲存量愈來愈大，美光估計(jì)兩者的成本將在明年交會，之后3D NAND即會取得成本優(yōu)勢。
根據(jù)美光的規(guī)畫，3D NAND將率先于今年6月出現(xiàn)在消費(fèi)者端的固態(tài)硬碟產(chǎn)品上，繼之推出資料中心專用的SSD，直到相關(guān)成本低于平面NAND之后即會擴(kuò)展至各種嵌入式記憶體市場。
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