運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。

　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案化和保形沉積的材料被用于構(gòu)建復(fù)雜結(jié)構(gòu)，材料的可選擇性正成為一個必不可少的能力。

　　2016年下半年，我們預(yù)計邏輯芯片和晶圓代工廠的10nm 3D FinFET工藝將逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。10nm平臺是晶體管制造中的重要技術(shù)，能維持晶體管性能的提升，遵照摩爾定律不斷增加存儲密度，從而使下一代芯片設(shè)計成為現(xiàn)實(shí)。然而，由于極紫外(EUV)光刻工具尚未普及，目前實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)拐點(diǎn)仍需依賴多重曝光技術(shù)才能克服當(dāng)前光學(xué)光刻分辨率的瓶頸。在DRAM工藝由20納米級向十幾納米過渡的過程中，多重曝光技術(shù)同樣重要，因其能實(shí)現(xiàn)存儲器件位密度的持續(xù)增加。盡管多重曝光技術(shù)支持元件的持續(xù)縮微，但其復(fù)雜的工藝對沉積和蝕刻的精度帶來了更嚴(yán)格的要求。

　　隨著芯片制造商競相進(jìn)入技術(shù)拐點(diǎn)，他們將不斷增加對創(chuàng)新設(shè)備的投資。展望未來，我們預(yù)計2016年對半導(dǎo)體行業(yè)將是一個重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，幾乎所有新建產(chǎn)能都將進(jìn)入10nm/1Xnm時代。隨著越來越多的材料被用于生產(chǎn)先進(jìn)的元器件設(shè)計，我們預(yù)計選擇性材料沉積和清除等尖端技術(shù)由于能在目標(biāo)區(qū)域內(nèi)有選擇地清除或沉積材料，而不會觸碰或損壞周圍材料，有望在芯片制造中起到舉足輕重的作用，最終使創(chuàng)建互聯(lián)世界成為可能。

　　半導(dǎo)體行業(yè)的另一大重要趨勢是芯片制造和消費(fèi)重心逐漸轉(zhuǎn)移到中國，這也為中國市場未來發(fā)展提供了巨大的機(jī)遇。盡管這同時也會為半導(dǎo)體行業(yè)帶來許多挑戰(zhàn)，但憑借強(qiáng)有力的政策護(hù)航和中央及地方政府的財政支持，加上“中國制造2025”戰(zhàn)略的逐步落實(shí)，我們相信中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪的發(fā)展契機(jī)。與此同時，中國也必須加快技術(shù)創(chuàng)新和人才儲備，才能在全球集成電路的大舞臺中扮演更加重要的角色。

　　作為半導(dǎo)體和平板顯示設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商，應(yīng)用材料公司深耕中國市場已三十余年，致力于與客戶共同推動中國集成電路行業(yè)的發(fā)展。公司將繼續(xù)借助在材料工程領(lǐng)域的技術(shù)專長，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，幫助中國的集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)可持續(xù)增長。為應(yīng)對市場需求和行業(yè)發(fā)展趨勢，應(yīng)用材料公司也將與整個產(chǎn)業(yè)鏈的客戶攜手，培養(yǎng)世界一流的人才，來共同解決中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新紀(jì)元后所面臨的技術(shù)拐點(diǎn)挑戰(zhàn)。