英特爾14nm制程比臺(tái)積電強(qiáng)太多 但龍頭優(yōu)勢(shì)難保

　　英特爾 22 納米和 14 納米晶體管鰭片細(xì)節(jié)對(duì)比：

　　所以，質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細(xì)節(jié)與上面英特爾的對(duì)比就能明白。在 22 納米時(shí)代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但 14 納米鰭片看起來(lái)已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動(dòng)電流和性能。

　　而三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細(xì)節(jié)，請(qǐng)注意看，很顯然更像是 2011 年英特爾 22 納米工藝時(shí)代的水平，宣稱超越難免有點(diǎn)大嘴了，畢竟無(wú)論如何還是基于第一代 FinFET 工藝打造。

　　三星 14 納米 FinFET 晶體管細(xì)節(jié)圖：

　　當(dāng)然了，性能突飛猛進(jìn)不太現(xiàn)實(shí)，而且英特爾考慮到了移動(dòng)領(lǐng)域和其他應(yīng)用的競(jìng)爭(zhēng)，畢竟在這些領(lǐng)域不需要非常高的 CPU 頻率。但說(shuō)到頻率，英特爾的 14nm 駕馭大于 4GHz 不會(huì)存在任何技術(shù)障礙，而代工廠的 14/ 16 納米當(dāng)前仍然相當(dāng)困難。

　　代工廠一直在進(jìn)步

　　不可否認(rèn)，在芯片制造業(yè)，各大代工廠尤其是三星和臺(tái)積電的進(jìn)步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術(shù)差距，盡管英特爾長(zhǎng)期處于領(lǐng)先，但當(dāng)前十分需要將差距拉開更大。

　　我們不清楚英特爾是否是缺乏競(jìng)爭(zhēng)壓力，但在移動(dòng)領(lǐng)域，三星 14 納米 FinFET、臺(tái)積電 16 納米 FinFET 兩大工藝的競(jìng)爭(zhēng)可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果 A9，到爭(zhēng)搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經(jīng)做好了部署全新工藝制程的準(zhǔn)備，不止是第二版，還包括第三版。

　　例如說(shuō)，臺(tái)積電第一代是標(biāo)準(zhǔn)的 16 納米 FinFET 工藝，之后推出的第二代 FinFET Plus(FF+) 增強(qiáng)版已經(jīng)部署。至于下一代 FinFET Compact(FFC)也已經(jīng)完成了設(shè)計(jì)研發(fā)，并確定本季度就可以投入量產(chǎn)，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代 14 納米是 Low Power Eatly(LPE)，現(xiàn)在第二代 Low Power Plus(LPP)已經(jīng)開始量產(chǎn)，重點(diǎn)產(chǎn)品為 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版 14 納米也將很快推出。

　　更長(zhǎng)遠(yuǎn)的計(jì)劃上，無(wú)論是三星和臺(tái)積電都已經(jīng)開始朝著 10 納米的目標(biāo)邁進(jìn)。臺(tái)積電表示，10 納米今年即可試產(chǎn)，正式批量生產(chǎn)等到 2016 年年底，或者是 2017 年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅(jiān)稱 2016 年年底 10 納米就可量產(chǎn)，2017 年一定會(huì)出現(xiàn)在手機(jī)和平板電腦上。

　　反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經(jīng)被打破，而且第一款基于 10 納米工藝的產(chǎn)品按計(jì)劃要等至 2017 年下半年才能推出。除非英特爾改革研發(fā)模式，否則今年年底將喪失工藝領(lǐng)先的地位。作為半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的巨頭，英特爾長(zhǎng)期自信滿滿，但在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境中，還真的得加把勁了。