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          高通將重回臺(tái)積電懷抱,生產(chǎn)7nm芯片?

          作者: 時(shí)間:2016-03-08 來(lái)源:精實(shí)新聞 收藏
          編者按:14nm、10nm時(shí)代高通一腳踢開(kāi)舊愛(ài)臺(tái)積電,用了一年然后發(fā)現(xiàn)好像新歡不是那么好,現(xiàn)在舊愛(ài)好像更厲害了,還是回去吧。

            (Qualcomm)為了新歡三星電子,一腳踢開(kāi)舊愛(ài)。不過(guò)正宮不是當(dāng)假的,自有辦法喚回變心情人。J.P. Morgan 表示,的奈米制程進(jìn)度超前,預(yù)料 2018 年會(huì)回頭找上臺(tái)積電,生產(chǎn) 7 奈米制程晶片。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201603/287924.htm

            霸 榮(Barronˋs)網(wǎng)站 7 日?qǐng)?bào)導(dǎo),為了 14 / 10 奈米制程舍棄臺(tái)積電,轉(zhuǎn)向三星下單,今年的 14 奈米、明年的 10 奈米晶片都由三星生產(chǎn)。高通原本是臺(tái)積電大客戶(hù),2014 年占臺(tái)積電 20% 以上營(yíng)收,轉(zhuǎn)單之后比重驟降,2016 年高通占臺(tái)積電營(yíng)收比重減至 9%、2017 年更只剩 4%。

            但是臺(tái)積電的正宮魅力不可小覷,J.P. Morgan 預(yù)估,2018 年高通又會(huì)重回臺(tái)積電懷抱。該行分析師哈戈谷(Gokul Hariharan)報(bào)告指出,臺(tái)積電 10 奈米 / 7 奈米進(jìn)度飛快,聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果、華為旗下的海思可能會(huì)在 2018 年上半采用 7 奈米制程,應(yīng)會(huì)使高通回心轉(zhuǎn)意,再與臺(tái)積電合作,生產(chǎn) 7 奈米晶片。

            哈戈谷表示,臺(tái)積電長(zhǎng)期生產(chǎn)可編程邏輯晶片(FPGA)、GPU、網(wǎng)路和儲(chǔ)存晶片,在高效能的晶圓代工領(lǐng)域,如數(shù)據(jù)中心晶片和高度運(yùn)算晶片等,表現(xiàn)優(yōu)于三星。幾乎所有 ARM 伺服器晶片廠商都只找臺(tái)積電代工。

            臺(tái)積股價(jià) 7 日下跌 0.33% 收在臺(tái)幣 152 元,今年迄今上漲 6.29%。



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