都說發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)一定要走IDM模式，你怎么看?

　　“他山之石可以攻玉?！苯梃b日韓以及我國臺灣地區(qū)的經(jīng)驗，可以更好地探索出一條適宜中國大陸當前發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的路徑——抓住重大技術變革機遇期，在打造龍頭骨干IDM企業(yè)的同時，也不應放松存儲業(yè)生態(tài)集群的培育。

　　產(chǎn)業(yè)面臨技術革新機遇

　　過去30余年中，全球存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：20世紀80年代存儲產(chǎn)業(yè)重心從歐美國家轉(zhuǎn)移到日本，90年代從日本轉(zhuǎn)移到韓國。

　　目前，從事DRAM生產(chǎn)開發(fā)的企業(yè)不下40家，但是這個行業(yè)一直都處于不斷兼并重組之中，比如2008年奇夢達被并購，2012年爾必達破產(chǎn)等，競爭格局已經(jīng)由群雄割據(jù)向三雄爭霸轉(zhuǎn)變。

　　“中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)一定不能脫離開國際產(chǎn)業(yè)的大環(huán)境，孤立發(fā)展?！敝锌圃何㈦娮铀L葉甜春向《中國電子報》記者說。

　　資料顯示，全球兩次存儲轉(zhuǎn)移都有著重要的產(chǎn)業(yè)背景。存儲器從美國向日本的轉(zhuǎn)移，根本原因是日本經(jīng)濟二戰(zhàn)后迅速崛起的歷史浪潮，直接原因則受益于電子制造業(yè)從歐美向日本的轉(zhuǎn)移。

　　上世紀90年代，韓國抓住了6英寸晶圓廠過渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商，躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的首位。

　　當前存儲器技術正在發(fā)生革命性的變革，中國正面臨一次歷史性機遇。

　　以3DNAND技術為例，當前NAND已經(jīng)量產(chǎn)到了20nm，工藝進程排到了1Z。盡管國內(nèi)產(chǎn)業(yè)幾乎是空白，落后國外幾十年，但是在向3D技術轉(zhuǎn)移的時候，將會采用較為成熟的30nm工藝外加3D技術。這樣差距就縮小到10年以內(nèi)。中國企業(yè)如果直接引進3D技術，將在產(chǎn)業(yè)鏈中找到機會。

　　一定要走IDM的模式

　　盡管中國有可能抓住存儲產(chǎn)業(yè)技術革新的機遇，但是具體路徑仍需認真考量，特別是我國臺灣地區(qū)的經(jīng)驗教訓值得我們借鑒。

　　根據(jù)半導體專家莫大康的介紹，日本半導體追趕美國，韓國半導體追趕日本，都是以存儲器為突破口。我國臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸向12英寸晶圓廠過渡的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。

　　但是，最終我國臺灣地區(qū)并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，韓國的三星電子及SK海力士至今仍雄居全球存儲器第一位與第二位。

　　“我國臺灣地區(qū)在存儲器領域的失敗自然有多方面原因，但是沒有打造出強大的IDM存儲器廠商是一個重要因素。主流存儲器，不管是DRAM還是NAND，拼的都是先進工藝和規(guī)模。美、韓、日之前都是走的這條路。我國臺灣地區(qū)走的則是利基型存儲器路線，基本上都是別人淘汰后不做的產(chǎn)品?！辟惖现菐旒呻娐樊a(chǎn)業(yè)研究所所長霍雨濤告訴《中國電子報》記者說。

　　葉甜春指出：“從模式上看，發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)一定要走IDM的模式，如果走虛擬IDM模式的話，必須是資本為紐帶的產(chǎn)業(yè)鏈合作，這種模式也可以嘗試。”

　　觀察全球存儲器產(chǎn)業(yè)構(gòu)成中，三星、SK海力士、美光等無一例外都是IDM廠商，都有自己的晶圓制造廠與封測廠，產(chǎn)業(yè)布局相當完善。

　　究其原因，存儲器產(chǎn)業(yè)的特點是拼制造工藝、拼產(chǎn)能，這樣才能把成本降下來，最終贏得市場，所以生產(chǎn)制造能力是存儲器廠商的核心競爭力，廠商往往嚴格把控。

　　構(gòu)筑產(chǎn)業(yè)生態(tài)集群更重要

　　除了重點打造IDM龍頭企業(yè)之外，中國也不應當忽視有關存儲的生態(tài)集群的培育。

　　整個存儲半導體產(chǎn)業(yè)范圍廣闊，新的增長點層出不窮，不僅包括與存儲芯片直接相關的代工制造、封裝測試，還有著多樣的周邊芯片。

　　比如，瀾起科技在機頂盒芯片之外的新業(yè)務增長點就是應用于服務器的DDR寄存緩沖器芯片;2015年我國投資公司與Cpress經(jīng)過多輪競購方成功收購的芯成半導體公司主營也是設計與銷售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成電路產(chǎn)品。

　　未來隨著大數(shù)據(jù)時代到來，數(shù)據(jù)中心將應用更多存儲芯片，與存儲器相關的新需求，如節(jié)能管理等，還將層出不窮。

　　隨著存儲芯片生產(chǎn)復雜程度的提高以及投資額的攀升，“單打獨斗”模式的風險也在加大，存儲廠商越來越多考慮通過合資、外包等各種形式分散風險。

　　同時，在DRAM產(chǎn)能持續(xù)緊缺時，為了保證及時的供貨，廠商也有動力將部分訂單外包，而非盲目擴產(chǎn)。目前全球主要存儲廠商紛紛在晶圓制造以及封測環(huán)節(jié)尋求外包與合作。

　　“最好是在產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)都有布局，一流或者準一流的fabless設計公司，一流或者準一流的Foundry廠，一流或者準一流的封測廠，一流或者準一流的系統(tǒng)廠商，市場就會誕生出具備全球競爭力的玩家?！蔽湓婪遒Y本副總裁許偉建議。