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          ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

          作者: 時間:2016-03-22 來源:eettaiwan 收藏

            與臺積公司(TSMC)共同宣布一項為期多年的協(xié)議,針對7奈米FinFET制程技術進行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設計解決方案。這項新協(xié)議將擴大雙方長期的合作夥伴關系,推動先進制程技術向前邁進,超越行動產品的應用并進入下一世代網路與資料中心的領域。此外,這項協(xié)議并延續(xù)先前采用 Artisan基礎實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201603/288569.htm

            執(zhí)行副總裁暨產品事業(yè)群總經理Pete Hutton表示:“既有以ARM為基礎的平臺已展現(xiàn)提升高達10倍運算密度的能力,支援特定資料中心的工作負載,未來ARM特別為資料中心與網路架構量身設計,并針對臺積公司7奈米FinFET進行最佳化的技術,將協(xié)助雙方客戶在各種不同效能產品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構。”

            臺積公司研究發(fā)展副總經理侯永清表示:“臺積公司持續(xù)投入先進制程技術的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功,藉由7奈米FinFET制程,我們的制程與設計生態(tài)環(huán)境解決方案已經從行動擴大到高效能運算的應用。客戶設計的下一世代高效能運算系統(tǒng)單晶片將受惠于臺積公司領先業(yè)界的7奈米FinFET制程。相較于10奈米FinFET制程,7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢,或在相同效能下提供更低的功耗。ARM與臺積公司共同最佳化的解決方案將能夠協(xié)助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場首創(chuàng)的產品。”

            此項最新協(xié)議奠基于ARM與臺積公司先前在16奈米FinFET與10奈米FinFET制程技術成功的合作基礎之上。臺積公司與ARM長期保持合作,共同創(chuàng)新,提供先進的制程與矽智財來協(xié)助客戶加速產品開發(fā)周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及采用16奈米FinFET與10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72處理器設計定案。



          關鍵詞: ARM 臺積電

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