RRAM領軍者Crossbar正式進軍中國存儲市場

　　阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。

　　Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發(fā)受益。”

　　通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲器(RRAM)到智能卡、機頂盒、IP相機和監(jiān)視器等一系列應用，Crossbar的客戶現(xiàn)正設計并推出低功耗、高安全性的解決方案。

　　Minassian博士還表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備市場需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲的嵌入式內存模塊，也可單獨作為EEPROM內存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”

　　Crossbar技術首先由中國出生的盧偉(Dr. Wei D. Lu)博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在RRAM領域積累了十二年的研究經(jīng)驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業(yè)的領先專家，包括基于雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導體納米線設備和低維系統(tǒng)中的電子輸運。

　　Crossbar RRAM技術被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內存技術的有力競爭者，從而贏得這一價值600億美元的全球市場。Crossbar技術可在一個200平方毫米的芯片上存儲數(shù)個TB的數(shù)據(jù)，能夠將海量信息，例如250小時的高清電影，存儲在比郵票還小的集成電路上，并進行回放。憑借簡單的三層結構，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術節(jié)點下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內存技術無可比擬的存儲容量。Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢，并將成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)的理想選擇。