武漢新芯閃存芯片廠動(dòng)工 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否后來(lái)居上？

　　中國(guó)正打造一個(gè)世界級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲(chǔ)芯片。中國(guó)正斥資240億美元打造一個(gè)世界級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將與一家美國(guó)公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲(chǔ)芯片。

　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動(dòng)工興建中國(guó)自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國(guó)政府所有。

　　武漢新芯去年與美國(guó)閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴，共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來(lái)在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor Corp.， CY)收購(gòu)。

　　存儲(chǔ)芯片用于在電子產(chǎn)品中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，目前中國(guó)還沒(méi)有真正意義上的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)能力。在推動(dòng)經(jīng)濟(jì)從低端制造向更先進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的過(guò)程中，半導(dǎo)體行業(yè)總體上已成為中國(guó)決策層扶持的一個(gè)主要目標(biāo)。

　　中國(guó)政府成立了一只國(guó)家級(jí)基金，用以扶持半導(dǎo)體行業(yè);此外，自斯諾登(Edward Snowden)曝光美國(guó)國(guó)家安全局(National Security Agency)利用一些美國(guó)科技產(chǎn)品的后門監(jiān)聽(tīng)外國(guó)政府后，中國(guó)也在推動(dòng)科技方面的自給自足。網(wǎng)絡(luò)安全專家稱，存儲(chǔ)芯片并不是黑客的主要目標(biāo)，但理論上也 可能被入侵。

　　去年，中國(guó)國(guó)有企業(yè)紫光集團(tuán)有限公司(Tsinghua Unigroup)試圖投資多家美國(guó)芯片生產(chǎn)商，美國(guó)政府對(duì)這類舉動(dòng)相當(dāng)警覺(jué)。到目前為止，這家迅速崛起的中國(guó)科技公司的這一嘗試一直未獲成功。

　　武漢新芯的工廠將生產(chǎn)閃存和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片(DRAM芯片)。武漢新芯發(fā)言人稱，該廠資金主要來(lái)自中國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體基金和湖北省政府。

　　總 部位于加州 何塞的柏士半導(dǎo)體去年實(shí)現(xiàn)收入16億美元。該公司一直以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片(SRAM芯片)而聞名。通過(guò)與Spansion合并，柏士半導(dǎo)體獲得了智 能手機(jī)和其他產(chǎn)品閃存技術(shù)的專業(yè)技術(shù)。Spansion原本是高級(jí)微設(shè)備公司(Advanced Micro Devices Inc.， AMD， 又名：超威半導(dǎo)體)和富士通(Fujitsu Ltd.)成立的合資企業(yè)。

　　武漢新芯發(fā)言人稱，240億美元的投資將分三個(gè)階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產(chǎn)，第二家工廠專注DRAM芯片生產(chǎn)，第三個(gè)階段的設(shè)施將專為供應(yīng)商服務(wù)。武漢新芯和Spansion去年在建立合作關(guān)系的聯(lián)合聲明中稱，首批產(chǎn)品將于2017年上市銷售。

　　柏士半導(dǎo)體發(fā)言人周四未立即置評(píng)。

　　總部位于臺(tái)灣的集邦科技(TrendForce)旗下的存儲(chǔ)行業(yè)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange研究主管楊文得(Sean Yang)表示，這是一個(gè)標(biāo)志性的突破，是中國(guó)公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。

　　據(jù) 政府網(wǎng)站介紹，武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府設(shè)立，作為一個(gè)重大戰(zhàn)略投資項(xiàng)目的載體，資金投入額超過(guò)15億美元，湖北省科技投資集團(tuán) (Hubei Province Technology Investment Corp.)是其唯一所有人。該公司主要生產(chǎn)各種類型的NOR閃存，許多高管此前都在中國(guó)主要的芯片代工生產(chǎn)商中芯國(guó)際(Semiconductor Manufacturing International Corp. )任職。

　　雖然武漢新芯的最新項(xiàng)目得到了中央政府的支持，但許多分析人士對(duì)該公司的前景仍表示懷疑。這家芯片生產(chǎn)商的知名度較低，而且此前中國(guó)在打造具有競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體行業(yè)方面所取得的成功有限。

　　武 漢新芯的起步較韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics Co. ，005930.SE)落后很多年，同時(shí)，由于投資成本高昂，加上規(guī)模經(jīng)濟(jì)的需要，存儲(chǔ)芯片行業(yè)對(duì)于陪跑者來(lái)說(shuō)是一種頗具懲罰性的業(yè)務(wù)。十多年來(lái)，臺(tái)灣已 向DRAM芯片生產(chǎn)投入數(shù)百億美元，但未獲成功，結(jié)果是許多公司被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手收購(gòu)。

　　Bernstein Research分析師紐曼(Mark Newman)稱，他對(duì)武漢新芯的轉(zhuǎn)型并不看好。他說(shuō)，該公司在存儲(chǔ)芯片方面的技術(shù)十分有限，較同行業(yè)的其他企業(yè)落后了數(shù)年。

　　一些海外公司已同意在中國(guó)建立先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片廠，盡管這些投資或許并不能滿足中國(guó)政府希望開(kāi)發(fā)自有技術(shù)的愿望。去年4月份，三星電子位于中國(guó)西安的存儲(chǔ)芯片 工廠投入生產(chǎn)，英特爾公司(Intel Co. ，INTC)則于去年10月份表示，將為現(xiàn)有的大連工廠引入新的芯片制造機(jī)器。

　　中國(guó)對(duì)存 儲(chǔ)芯片的興趣隨著去年紫光集團(tuán)加大投資力度而變得明朗化。這家擁有政府背景的公司意圖收購(gòu)美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光科技公司(Micron Technology Inc.， MU)，并投資西部數(shù)據(jù)股份有限公司(Western Digital Corporation， WDC)，當(dāng)時(shí)西部數(shù)據(jù)正尋求收購(gòu)閃存芯片制造商閃迪(SanDisk Co.， SNDK)。這些交易最后均未達(dá)成，原因之一是擔(dān)心美國(guó)政府反對(duì)。

　　武 漢新芯打算生產(chǎn)名為“3D NAND”的下一代閃存芯片，預(yù)計(jì)這種芯片將成為未來(lái)數(shù)年計(jì)算機(jī)設(shè)備的主流數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工具。據(jù)首席執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧(Simon Yang)描述，智能手機(jī)及其他產(chǎn)品目前使用的是所謂的“二維NAND”，相比之下，二維NAND就像是停車場(chǎng)，而3D NAND則是一個(gè)立體的停車場(chǎng)。

　　三 星電子是多層次存儲(chǔ)技術(shù)的探路先鋒(這一技術(shù)可以提高芯片的存儲(chǔ)效率)，其他企業(yè)跟在后面亦步亦趨，也包括美國(guó)的英特爾和美光科技。Bernstein Research的紐曼稱，三星電子是目前唯一實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3D NAND的制造商，不過(guò)，今年這種芯片的生產(chǎn)成本已經(jīng)降到比常規(guī)NAND芯片更低，因此將會(huì)很快普及。

　　對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的掌握程度也是參差不齊：三星電子的技術(shù)可達(dá)64層，而據(jù)分析師說(shuō)，武漢新芯只有8層。

　　當(dāng)被問(wèn)及層數(shù)時(shí)，武漢新芯發(fā)言人不予披露。

　　武漢新芯網(wǎng)站顯示，首席營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)洪沨在去年11月份的演講中指出，只要公司現(xiàn)在著手做，就很可能追趕上并有機(jī)會(huì)躋身世界一流企業(yè)行列。