中國(guó)NAND快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國(guó)記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開(kāi)始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開(kāi)始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國(guó)極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下，將開(kāi)始進(jìn)入新的里程碑。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋?，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國(guó)際NAND Flash大廠，武漢新芯選擇與飛索半導(dǎo)體(Spansion)共同合作開(kāi)發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)，并在去年完成初期晶片電氣測(cè)試后，持續(xù)往更高的堆疊數(shù)邁進(jìn)，目標(biāo)2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的產(chǎn)品，切入高成長(zhǎng)性的快閃記憶體產(chǎn)業(yè)，也透過(guò)盡早導(dǎo)入新技術(shù)的方式，縮短與現(xiàn)今國(guó)際NAND Flash大廠的差距。

　　武漢新芯規(guī)劃的新廠產(chǎn)能為長(zhǎng)期20萬(wàn)片，產(chǎn)能的提升必需要伴隨未來(lái)技術(shù)開(kāi)發(fā)的成熟，生產(chǎn)的穩(wěn)定;楊文得表示，20萬(wàn)片為長(zhǎng)期的最終計(jì)劃，非短期能達(dá)成，比較明顯的產(chǎn)出提升應(yīng)該在5~10年之后。英特爾(Intel)大連廠自今年第四季加入生產(chǎn)行列的帶動(dòng)下，來(lái)自中國(guó)生產(chǎn)的NAND Flash晶圓將占全球的8%，2017年第三季前可超過(guò)10%，顯示中國(guó)發(fā)展NAND Flash產(chǎn)業(yè)的積極度也讓國(guó)際大廠加速布局角度。

　　目前NAND Flash產(chǎn)業(yè)除三星量產(chǎn)3D-NAND Flash，且已在各大PC-OEMs業(yè)者中獲得不錯(cuò)的市占率，第三代3D-NAND Flash也將完成產(chǎn)品測(cè)試階段，可望在2016下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開(kāi)始量產(chǎn)。

　　其他NAND Flash業(yè)者也陸續(xù)加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，自今年下半年將可開(kāi)始導(dǎo)入相關(guān)固態(tài)硬碟的需求應(yīng)用而出貨。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)的3D-NAND Flash產(chǎn)出比重將可快速攀升至20%，較去年的6%有顯著成長(zhǎng)，將可讓相關(guān)固態(tài)硬碟的普及與滲透率成長(zhǎng)更加快速。

　　國(guó)際NAND大廠比較