4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

　　日前，武漢投資1600億元人民幣建設世界級存儲器基地，聯(lián)想到去年紫光竭力收購國際存儲芯片公司和之前合肥投資460億元人民幣建設存儲芯片工廠，以及最近紫光意圖在深圳投資300億美元建廠，國家為發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)可謂人不惜血本。

　　一個月內(nèi)敲定三大存儲工廠

　　早在2006年，武漢就投資100億元啟動武漢新芯項目，經(jīng)過10年的磨礪和成長，武漢新芯已經(jīng)和西安華芯等公司成為中國存儲器領域的龍頭企業(yè)。本次投資1600億元人民幣將主攻方向是NAND Flash(NAND Flash閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，比如手機上16G/32G/64G的閃存和電腦上的固態(tài)硬盤用的就是NAND Flash)，首批產(chǎn)品將于2017年上市銷售，預計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。

　　在武漢、合肥等5座城市爭奪存儲器基地并以武漢的勝出而謝幕之后，合肥依舊沒有放棄發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的雄心，在技術上與日本前爾必達社長坂本幸雄合作，主攻方向是DRAM(DRAM是易失性存儲技術，斷電失去數(shù)據(jù)，電腦上4G/8G內(nèi)存采用的就是DRAM)，在資金上投入460億人民幣，該DRAM工廠預計量產(chǎn)時間為2018年下半年，屆時12英寸晶圓月產(chǎn)能高達10萬片。

　　3月24日，紫光制定了規(guī)模達300億美元的投資計劃，該存儲廠預計于2018年完工，2019年量產(chǎn)，首批產(chǎn)能為4萬片(規(guī)劃3萬片生產(chǎn)NAND Flash，1萬片生產(chǎn)DRAM)，預計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。紫光該項決策的執(zhí)行者就是素有臺灣存儲教父之稱的前華亞科董事長高啟全。

　　3D NAND

　　一直以來，國內(nèi)存儲芯片市場一直被外資占據(jù)，武漢新芯、西安華芯、中芯國際的存儲芯片不僅市場份額小，而且大多只能在中低端謀生存，而本次國家在存儲領域發(fā)力，很顯然是為了解決在存儲芯片方面受制于人的問題。

　　技術上或多或少依賴海外

　　武漢新芯在技術上和三星、鎂光等國際大廠有不小的距離。因此，采取了與美國飛索半導體合作共同研發(fā)的方式——在技術上，雖然在過去10年時間里培養(yǎng)了一批人才，積累了一定技術，但如果要想在技術上迅速縮小和三星、鎂光的差距，或多或少要仰仗飛索半導體。

　　合肥的存儲工廠在技術上比武漢新芯有著更強的對外依賴——合肥存儲工廠的合作方是兆基科技，雖然注冊地在香港，但實際掌舵人是前爾必達社長坂本幸雄，而且研發(fā)和設計由日本工程師負責，生產(chǎn)工藝由臺灣工程師負責，合肥政府做的僅僅是成立公司和負責工廠的運營……因此，合肥投資460億建設存儲工廠，也被人戲言為“在爾必達被收購后，末代社長坂本幸雄匯集中國大陸資本和日本、中國臺灣的工程師向韓國三星、海力士宣戰(zhàn)”。

　　雖然紫光并沒有宣布其技術來源，但聯(lián)系去年紫光對鎂光不成功的收購和與海力士的對話，以及試圖借助西數(shù)收購閃迪，紫光的技術很有可能也是要仰仗鎂光、閃迪、海力士等海外公司。

　　看到這里，也許有人會質(zhì)疑，找海外公司合作，真能學到先進技術么?誠然，從公司的層面，境外公司是不會將先進技術授予中國的，改革開發(fā)以來的歷史已經(jīng)證明了花錢是買不來技術的。但從另一個層面看，技術是和人走的，海外公司對技術研發(fā)死守，但技術專家卻是大活人，而且未必是鐵板一塊，只要合作，就會產(chǎn)生交流，就可以通過一些手段學到一些技術，甚至將海外公司的技術專家挖走，化為己用。

　　在這方面，韓國的招數(shù)和手法可謂爐火純青——在早些年，日本工程師每逢周末就被韓國人約去打高爾夫、高消費，期間咨詢問題，并伺機高薪挖人，通過日積月累的信息獲取和人才挖掘，最終拼湊出完整的技術;就在最近，韓國三星之所以能領先臺積電研發(fā)出14nm芯片生產(chǎn)工藝，很大程度上就是利用臺積電的內(nèi)部矛盾，挖走了臺積電的技術骨干。

　　因此，如果一味的“老老實實”合作，就有可能重蹈汽車產(chǎn)業(yè)技術受制于國外公司的覆轍，但如果效法韓國人的成功經(jīng)驗，則一切皆有可能。

　　另外，存儲芯片通用性強，即便采用國外技術，所生產(chǎn)的存儲芯片既可用于X86桌面平臺，也可用于ARM手機平臺，還可以用于龍芯、申威等自主平臺，不會像IC設計領域那樣在與海外公司合作/合資，或購買技術授權后被鎖死的情況。

　　潛在的風險

　　雖然存儲芯片具有通用性強的特點，降低了產(chǎn)品市場化風險，但從實踐上看，合肥的fabless模式還是有一定潛在的風險的。

　　在半導體行業(yè)中，有三種運作模式：

　　一是從事能獨立完成設計、制造、封裝測試的公司，被稱為IDM(Integrated Design and Manufacture)，比如Intel、鎂光、三星;

　　二是只從事IC設計，但沒有代工廠，這類公司被稱為Fabless，像AMD、ARM等都屬于Fabless;

　　三是只做代工，不做設計，這類公司被稱為Foundry，最典型的就是臺積電。

　　由于在存儲產(chǎn)業(yè)，設計和生產(chǎn)工藝的結合異常緊密，使得IDM廠商會占有很大優(yōu)勢——在IDM廠商中，生產(chǎn)工藝的研發(fā)和設計是同步走的，哪一方面出現(xiàn)短板，那么兩者就會協(xié)調(diào)溝通，把短板補全，把產(chǎn)品做好;在研發(fā)出新制程后，即便良率低、成本高，IDM廠商也可以通過內(nèi)部計劃經(jīng)濟的模式做好協(xié)調(diào)，使自己的產(chǎn)品在制程上處于領先地位。但如果是fabless，畢竟代工廠不像IDM那樣是公司內(nèi)部的，出現(xiàn)瓶頸時候，設計公司有可能會把問題推給代工廠，而代工廠出于商業(yè)秘密或技術保密，往往不會對設計公司毫無保留，這必然導致溝通的時間成本和資金成本會非常高。另外，由于新制程剛剛量產(chǎn)時大多良品率低、成本高、產(chǎn)能小，造成設計公司不會采用最新的制程，或者拿不到最新制程的產(chǎn)能，必然導致fabless廠商在產(chǎn)品性能上落后于IDM廠商。

　　正是因此，國家02專項總師、中國科學院微電子研究所所長葉甜春指出，“從模式上看，發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)一定要走IDM的模式”。而從實踐上看，像三星、鎂光等存儲芯片大廠都有自己的晶圓制造廠與封測廠，皆為IDM廠商，市場上賣的是最先進的，也是IDM廠商的產(chǎn)品，存儲芯片的主要市場份額也在IDM廠商手中。而只有次先進的產(chǎn)品，以及追求性價比的產(chǎn)品，或者是工業(yè)領域一些對性能要求不高，但對可靠性、溫度等參數(shù)要求很高的領域，才會有fabless廠商的立足之地。

　　總之，在存儲行業(yè)，合肥的DRAM工廠若想以fabless模式和海外巨頭對拼，先天上就處于劣勢。另外，在合肥的DRAM工廠中，雖然不清楚中國技術人員能多大程度參與技術研發(fā)，但如果設計部門位于日本，工藝研發(fā)部門位于中國臺灣，而且全部假手中國臺灣和日本工程師完成，若真是這種“兩頭在外”的情況，合肥“引進海外技術，提升本土技術水平”的設想能夠變?yōu)楝F(xiàn)實的難度將會非常高。

　　能建成存儲帝國么

　　無論是DRAM，還是NAND Flash都具有通用性強、資金需求量大、技術革新快、技術門檻相對不高(相對于CPU、GPU、DSP、FPGA而言)的特點，這些特點使DRAM和NAND Flash成為在現(xiàn)階段就可以依靠“燒錢”形成一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，而在存儲行業(yè)立足，恰恰離不開龐大的規(guī)?！揽慨a(chǎn)能壓低成本，從這個角度上看，與面板行業(yè)或多或少具有一定相似性。

　　國家近年來對存儲產(chǎn)業(yè)不計成本的投入，其本質(zhì)上是在加速技術擴散的過程，定向的讓技術向中國擴散，使先進技術、管理方法和技術人才進入中國大陸，同時讓中國的本土技術人才在相應的崗位得到鍛煉，形成強大的存儲產(chǎn)業(yè)和高素質(zhì)的人才，最終實現(xiàn)與國外巨頭分庭抗禮的格局。