臺積電將在7nm制程拉開與三星、英特爾差距 稱霸半導體

　　臺積電法說會本周四(14日)登場，揭開半導體族群法說會序幕。半導體設備廠透露，臺積電在16納米拉開與三星差距，10納米超車英特爾之后，預料本次法說會，將宣告加速7納米制程腳步，向全球展現(xiàn)其半導體先進制程領先群倫的氣勢。

　　相較英特爾宣布2020年才產出7納米制程產品，凸顯臺積電將在于今年下半年以10納米制程試產聯(lián)發(fā)科等相關產品之后，未來在7納米一舉拉開與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距，稱霸全球半導體產業(yè)。

　　臺積電近期已指示相關設備廠，加速7納米生產線建置。從臺積電罕見在3月初于美西科技術論壇中，對外宣告與安謀延續(xù)在7納米合作，透露臺積電7納米制程已獲得包括高通、蘋果等大客戶支持，甚至幾乎獨攬這兩大客戶訂單，讓臺積電信心大增，加速7納米布建。

　　由于7納米制程有重大斬獲，據(jù)了解，臺積電本次法說會，將由兩位共同執(zhí)行長暨總經(jīng)理劉德音、魏哲家和財務長何麗梅共同時主持，并揭露7納米重要布局及技術推進藍圖。

　　臺積電將10納米與7納米視為同一制程計畫，決定加速7納米腳步，應是在關鍵曝光顯影及多核運算技術技術獲利重大突破，吸引注重晶片效能大廠全心全意與臺積電合作。這項突破，將奠定臺積電未來在晶圓代工版圖持續(xù)領先地位，再次獨拿多家晶片大廠訂單。

　　劉德音稍早表示，臺積電10納米和7納米制程照既定計畫進行，除10納米試產良率持續(xù)提升，臺積電今年首季也完成首顆7納米制程生產靜態(tài)存取記憶體(SRAM)產出，預定2018年第1季完成產品設計定案，主要生產據(jù)點將座落于中科。

　　臺積電強調，7納米布建速度比10納米還快，產品除應用在行動通訊領域，更將開發(fā)應用于資料中心的高速運算處理器，奠定在晶圓代工領先地位。