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          英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容
          
						
          
				作者：
				時間：2016-05-23
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201605/291526.htm
          　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的引腳可簡化PCB設(shè)計，實現(xiàn)低阻抗電源。與英飛凌EiceDRIVER?產(chǎn)品家族的其他成員一樣，1EDI Compact 300 mil驅(qū)動基于英飛凌的無芯變壓器技術(shù)。最新推出的驅(qū)動IC能實現(xiàn)最大6 A的輸出電流。
          　　產(chǎn)品信息與上市時間
          　　該IC能在獨立的灌電流和拉電流輸出引腳分別提供驅(qū)動電流0.5A(1EDI05I12AH)、2A(1EDI20I12AH)、4A(1EDI40I12AH)和6A(1EDI60I12AH)的不同型號。這些器件的典型延遲為300納秒。對于速度更高的應(yīng)用，1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延遲有所縮短，只有120納秒，非常適合于當(dāng)今和未來的基于SiC-MOSFET的應(yīng)用。另外三個型號(1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH)配有一個集成的米勒鉗位，可提供相應(yīng)的輸出電流1A、2A和3A等規(guī)格。
          　　2016年6月計劃批量生產(chǎn)1EDI Compact 300 mil門級驅(qū)動IC。目前提供工程樣品和評估板。了解更多信息請訪問：www.infineon.com/EiceDRIVER。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            英飛凌
                        SiC-MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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