三星、臺(tái)積電7納米對(duì)決　恐撼動(dòng)晶圓代工版圖

　　三星電子(Samsung Electronics)與臺(tái)積電在新一代晶圓代工戰(zhàn)局進(jìn)入白熱化，雙方紛將10納米制程量產(chǎn)目標(biāo)訂在2016年底，近期三星更進(jìn)一步擴(kuò)大投資，向荷蘭微 影設(shè)備大廠ASML訂購(gòu)極紫外光微影制程(EUV)掃描機(jī)，提前搶灘7納米制程，最快2017年底可用于量產(chǎn)晶圓，業(yè)界紛關(guān)注臺(tái)積電后續(xù)可能采取的反擊策 略，恐將牽動(dòng)雙方未來(lái)在晶圓代工版圖變化。

　　業(yè)界認(rèn)為EUV設(shè)備是突破微影制程界限的重要王牌，目前還沒(méi)有半導(dǎo)體業(yè)者真正將EUV設(shè)備導(dǎo)入量產(chǎn)，因?yàn)辇嫶蟮脑O(shè)備投資讓晶圓代工業(yè)者退卻，亦無(wú)法得知使用EUV設(shè)備是否真能達(dá)到預(yù)期效果。

　　臺(tái)積電與三星均認(rèn)為，介于14納米與7納米之間的10納米制程技術(shù)難以長(zhǎng)久維持，由于10納米性能只比14納米提高20%，但7納米性能卻比14納米提高35%，且節(jié)省耗電65%，使得臺(tái)積電與三星均積極投入7納米制程研發(fā)。

　　業(yè)界預(yù)估三星與臺(tái)積電用于研發(fā)7納米的設(shè)備投資，恐將超過(guò)2.5億美元，相較于目前普遍使用的28納米制程，7納米成本至少高出9倍，至于10納米投資成本雖較低，但相較于14納米性能改善幅度并不顯著。

　　盡管英特爾(Intel)最先投入14納米制程發(fā)展，然面對(duì)7納米激烈戰(zhàn)局選擇放慢步調(diào)，并將導(dǎo)入10納米目標(biāo)訂在2018年，加上近期英特爾全面改造組織、調(diào)整事業(yè)領(lǐng)域，亦影響英特爾在先進(jìn)微影制程轉(zhuǎn)換采取較保守態(tài)度。

　　三星與臺(tái)積電向來(lái)將蘋(píng)果(Apple)移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)代工訂單視為兵家必爭(zhēng)，2015年三星以14納米制程搶到較多的蘋(píng)果訂單，但臺(tái)積電因10納米 制程趨于穩(wěn)定，目前在爭(zhēng)取新款iPhone代工訂單暫居優(yōu)勢(shì)地位，加上臺(tái)積電專(zhuān)注于晶圓代工，具備較高的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，但三星在先進(jìn)制程積極布局及急起直追 態(tài)勢(shì)仍不容忽視，后續(xù)臺(tái)積電反擊策略備受業(yè)界矚目。