東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，東芝(Toshiba)計(jì)劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財(cái)年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲(chǔ)器芯片。日經(jīng)亞洲評(píng)論(Nikkei Asian Review)報(bào)導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來(lái)將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。

　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì)比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)，這種芯片不僅能擴(kuò)充數(shù)據(jù)儲(chǔ)存容量，還能提高處理速度。東芝更鎖定持續(xù)大增的數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需求。

　　東芝和西部數(shù)據(jù)(WD)計(jì)劃未來(lái)3年將在四日市工廠投資1.4兆日?qǐng)A(132億美元)。東芝已于2016年春開(kāi)始生產(chǎn)48層NAND Flash，并規(guī)劃2017財(cái)年3D NAND Flash將占Nand Flash芯片總產(chǎn)量的50%，到2018財(cái)年將占逾80%。

　　而三星可能會(huì)在2017年下旬于韓國(guó)京畿道平澤市啟用半導(dǎo)體工廠，開(kāi)始生產(chǎn)64層3D NAND Flash芯片。

　　堆疊更多層會(huì)增加各層未對(duì)準(zhǔn)的風(fēng)險(xiǎn)，而且常會(huì)降低產(chǎn)量。東芝已改進(jìn)定位技術(shù)，因此能堆疊64層。隨著研發(fā)取得進(jìn)展，東芝決定投入重資，購(gòu)買(mǎi)造價(jià)高昂的3D NAND Flash制造設(shè)備，搶先三星將此技術(shù)推向市場(chǎng)。

　　東芝總裁綱川智表示，東芝為贏得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)須勇于投資必要資金。他還表示，東芝將借此世界一流的生產(chǎn)線展現(xiàn)在快閃存儲(chǔ)器的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　東芝經(jīng)會(huì)計(jì)丑聞業(yè)務(wù)精簡(jiǎn)后，半導(dǎo)體為目前三大業(yè)務(wù)之一。綱川智表示半導(dǎo)體是東芝的成長(zhǎng)動(dòng)力。該公司2018年財(cái)年?duì)I業(yè)利益目標(biāo)為2,700日?qǐng)A，其中將有1,300億日?qǐng)A來(lái)自半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。