東芝要做64層3D閃存:三星48層情何以堪?
三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名,而且已經堆到了驚人的48層,工藝精良,不過據《日經亞洲評論》報道,東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存,比三星多三分之一!
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201607/294266.htm7月15日,東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式,并透露將在此生產48層堆疊閃存,并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。
這種閃存的成本和價格會比較高,但是因為容量可以做的更大,平均價格反而會更便宜,可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數據中心等各種領域,初期主要供應持續(xù)增長的數據中心。
其實,東芝在今年春天就已經開始生產48層閃存了,并預計2017財年3D閃存將占其總產能的50%,2018財年突破80%。
三星則可能會在2017年下半年啟用位于韓國京畿道平澤市的新工廠,生產自己的64層閃存,但官方尚未明確表態(tài)。
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