28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

　　SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。

　　三星晶圓代工業(yè)務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。

　　SamsungFoundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28奈米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在2017年底進行嵌入式快閃記憶體(eFlash)的風險生產(riskproduction)，嵌入式MRAM(eMRAM)的風險生產則安排在2018年底。

　　不過Low也指出：「我們雖然會同時提供eFlash與eMRAM(STT-MRAM)技術選項，但預期市場需求會導致最后只剩下一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體方案?！?/p>

　　風險生產指的是晶圓代工廠客戶運作其完整電路、并不測試結構，但仍有可能改變制程與設計，以最佳化晶片性能以及改善良率;而因為制程還未最后確定，這類生產對客戶來說必須負擔風險，因此被稱為風險生產。此生產階段可能會持續(xù)數(shù)個月時間，而正式提供eFlash與eMRAM量產的時程，分別會在2018與2019年。

　　MARM這種非揮發(fā)性記憶體技術已經發(fā)展多年，最近才有業(yè)者EverspinTechnologies提供單獨的MRAM晶片;三星在2011年收購了MRAM技術新創(chuàng)公司Grandis。

　　要提供28奈米嵌入式非揮發(fā)性記憶體得克服許多挑戰(zhàn)，產業(yè)界公認將快閃記憶體微縮至28奈米節(jié)點并不實際，但MRAM、相變化記憶體(PCM)以及電阻式記憶體(ReRAM)等其他技術選項仍不成熟。28奈米節(jié)點eFlash的問題包括耐久性以及功耗，而通常SoC設計會選擇以較不積極的節(jié)點來制作嵌入式快閃記憶體電路、放棄微縮。

　　這也可能是三星先推eFlash技術，但預期客戶會在長期使用STT-MRAM;MRAM在長期看來會是較受歡迎的技術，因為與CMOS融合的簡易性以及其電壓架構，能以最少三層額外光罩就能被整合，而eFlash則通常需要6~8層額外光罩。

　　MRAM通常是以平面內(in-plane)方式制作，不過也有選項是將磁性層垂直布置以進一步縮小面積;不過Low表示，三星不方便透露其eMRAM的制作技術細節(jié)。

　　不過三星在2016年6月于美國德州奧斯汀舉行的設計自動化大會(DAC)上，確實展示了以28奈米HKMG塊狀CMOS制程生產的獨立MRAM;Low表示：「我們的團隊正在研究將此成果轉移至28奈米FD-SOI制程?！?/p>