mram 文章 進(jìn)入mram技術(shù)社區(qū)
臺積電新型存儲技術(shù)問世,功耗僅為同類技術(shù)的1%
- 臺積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢,正在積極推動新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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MRAM:RAM和NAND再遇強(qiáng)敵
- M 是一種非易失性存儲技術(shù),通過磁致電阻的變化來表示二進(jìn)制中的 0 和 1,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性,讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息,并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命,平均能耗也遠(yuǎn)低于 DRAM。被大廠看好的未來之星,非它莫屬。三星:新里程碑目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM,2005 年三星率先研究 STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
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迷人的新型存儲
- 多年來,各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程?,F(xiàn)代社會已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面,數(shù)據(jù)呈爆炸式增長,芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力 ;另一方面,依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說:「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器,已經(jīng)有幾十年歷史了,它們還在一直在向前發(fā)展,不斷更新?lián)Q代,尺寸越來越小,成本越來越低,性能越來越強(qiáng)?!沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
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尺寸最小+功耗最低,三星即將宣布MRAM重要突破
- 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子即將在國際電子器件會議(IEDM)上報(bào)告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會議接收的資料顯示,三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)制造,據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM,并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到,該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲器,其寫入能量要求為每比特25pJ
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工業(yè)儲存技術(shù)再進(jìn)化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身
- 近年來,半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動下,加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn),3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件,閃存(Flash)儲存技術(shù)早已成為工控設(shè)備的主流配備。近年來,半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動下,加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn),3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性,可以滿足龐大運(yùn)算需求,
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MRAM技術(shù)新突破!臺灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)
- 全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM),準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn),研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?! RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù),斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失,是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治,上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層,可快速處理數(shù)據(jù),底層則是釘鎖住的鐵磁層,可用作存儲數(shù)據(jù),兩層中則有氧化層隔開?! ∑?/li>
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MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局?三星已開始大量生產(chǎn)
- 據(jù)報(bào)道,三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局,因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)?! ∪?月6日宣布,已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式,標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨?! ∵@種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù),并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示,由于它在斷電時(shí)保存了存儲的數(shù)據(jù),并且不使用額外的備用電源,所以它的功耗也很
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英特爾已悄悄將MRAM商用?三星緊追其后
- 在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?! RAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機(jī)存取存儲),是一種非易失性存儲技術(shù),從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲的高速讀取寫入能力,具有閃存的非揮發(fā)性,容量密度及使用壽命不輸 DRAM,但平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入?! ∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
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聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品
- 聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布,兩家公司成為合作伙伴,共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司?! ÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議,于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應(yīng)用產(chǎn)品,并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費(fèi)型產(chǎn)品,以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
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嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
- 近期臺積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中,首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
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使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元,幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景,重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn),并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?! ?yīng)用材料公司為實(shí)現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項(xiàng)重要創(chuàng)新,包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設(shè)施來加工并測試器件陣列,我們驗(yàn)證了 STT MRAM 的性能和可擴(kuò)展性。 如今,除了邏
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新式儲存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場起飛嗎?
- MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術(shù),據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗,使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速M(fèi)RAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機(jī)存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù),據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
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如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲器
- 汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜,因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?,如高級駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作,每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器,以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù),以作將來檢索用途?! ∧壳笆袌錾现饕@幾種不同類型的非易失性存儲器,如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器),MRAM
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基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究
- 摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM),可利用其對大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究,提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試,全空間讀寫數(shù)據(jù)1,以棋盤格方式進(jìn)行全空間讀寫測試。另外,針對MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù),如T
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