三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏

　　三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。

　　韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅(qū)動的非揮發(fā)性存儲器，不使用時也完全不需要電力。

　　MRAM的另外一項特征是壽命時間無限。NANDFlash反覆讀寫后，壽命就會大幅縮短。雖然最近靠著技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)延長了NANDFlash的使用壽命，但仍未出現(xiàn)顛覆性的改善技術(shù)。

　　MRAM自2007年亮相，2011年三星電子買下?lián)碛蠸TT-MRAM技術(shù)的開發(fā)公司Grandis。而SK海力士(SKHynix)則是與東芝(Toshiba)合作，共同研發(fā)MRAM技術(shù)。

　　然而，這樣比NANDFlash讀寫速度還快，又沒有壽命問題的MRAM卻有一個致命的缺點，那就是50納米以下的微細制程相當困難，費用又極為龐大。過去這段期間，半導體大廠如英特爾(Intel)、美光(Micron)等雖然積極進行MRAM的研發(fā)，但到目前為止，都未能研發(fā)出比NANDFlash更高整合度、更低生產(chǎn)價格的MRAM，以致遲遲不能商品化。

　　在此次三星與IBM共同研發(fā)成功研發(fā)11納米MRAM之后，情況將有望大幅轉(zhuǎn)變。用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置感測器、移動裝置等領(lǐng)域的機會將會無窮無盡。長期來看，更有望可以取代NANDFlash市場。

　　另一方面，三星與IBM除了在次世代存儲器事業(yè)上有合作以外，也傳出正在研擬于人工智能(AI)、半導體事業(yè)的合作方案。