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          解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑

          —— 研發(fā)、兼并、合資與合作 解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑
          作者: 時間:2016-08-09 來源:電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏
          編者按:中中國下決心做存儲器芯片,是個特別重大,而又十分艱難的決定,國存儲器業(yè)要取得成功,總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑,研發(fā),兼并及合資,合作都是十分有效,然而經(jīng)過一段時間的實踐,有一定進展,但是情況也有些變化,這一切唯有通過研發(fā)的早日成功,才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。

            構(gòu)建中國的夢一步步在向前推進,繼今年4月武漢“新芯”宣布動工,公布了宏偉的規(guī)劃蘭圖。如今紫光入圍,成立長江存儲科技有限責任公司,并推選趙偉國當董事長,丁文武當副董事長,表明項目再次取得實質(zhì)性的進展。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201608/295227.htm

            國內(nèi)外對于項目上馬的看法差異很大,就目前非常有限的資料來判斷,一定取得勝算的把握可能尚不好預測。

            中國業(yè)的發(fā)展剛剛啟步,目前有三個方面的力量正在聚集,一是政府主導的武漢新芯,它們與Spansion及中科院微電子所等合作,據(jù)說己經(jīng)有9層3D樣品;二是紫光,它的策略是先通過兼并,達到一定高度之后再自行研發(fā);三是兩個地方政府,福建與合肥,它們試圖尋找技術(shù)伙伴,或者挖技術(shù)團隊后再前進。

            兼并

            紫光把希望寄于通過兼并,讓中國的存儲器業(yè)的起點抬高,再進行自主研發(fā)。這樣的思維聽起來是務實的,然而由于中國處在特定環(huán)境下,許多正常的兼并貿(mào)易都被美國CFIUS否決。綜合起來近時期紫光的實踐,欲聯(lián)手美光等,希望能得到技術(shù)支持的想法恐怕難以實現(xiàn)。更有傳聞欲學習臺灣地區(qū)的“華亞科”模式,由中方出資,美光技術(shù)主導,最終成為美光在全球布局的一部分。如果是這樣的結(jié)局恐怕有違于中國開初建設存儲器芯片事業(yè)的初衷。

            因此現(xiàn)階段的兼并之路恐難以為繼。

            合資與合作

            福建“晉華”開創(chuàng)出一條新路。原本依制鞋,服裝出口為主的僑鄉(xiāng),試圖產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型進入存儲器芯片制造領域,近期還得到大基金等的支持。

            晉華的模式很清晰,中方出資,技術(shù)上依賴聯(lián)電,最終經(jīng)營的盈利還分成給聯(lián)電,是個兩岸合作雙贏的模式。關鍵是它們選擇利基型DRAM作為突破口。

            什么是利基型DRAM?

            全球DRAM從應用可分成五類,分別是標準型(PC等應用),服務器,行動式,繪圖用及利基型(消費類consumer)。2015年的DRAM市場中五類產(chǎn)品的占比分別為26%,22%,38%,6%及6%,并預測2016年分別為19%,24%,42%,6%及8%。表示利基型DRAM的市場己擴大30%。

            由于利基型DRAM是客制化為主,屬于小眾市場(年總銷售額才約35億美元,而整個DRAM市場在350-400億美元),采用相對成熟的制程。開初國內(nèi)業(yè)界對于選擇聯(lián)電作為DRAM的技術(shù)合作伙伴有些質(zhì)疑,也是可以理解的。

            然而任何事應該看它作什么?用最后的結(jié)果來回答。剛開始就貼上“標簽”,未必一定正確。據(jù)目前的判斷聯(lián)電在選擇利基型DRAM作為中國存儲器業(yè)的突破口可能是步好棋。

            因為利基型DRAM主要用于液晶電視、數(shù)字機頂盒、播放機等消費型電子等相關產(chǎn)品中,多數(shù)是采用成熟制程。

            利基型DRAM需求相當穩(wěn)定,很多都是客制化晶片,不屬于大眾規(guī)格產(chǎn)品,不像標準型DRAM會因為價格下跌使得容量倍增,影響利基型DRAM漲價的主要因素是以供給端為主。

            目前全球最大的利基型DRAM供應商為海力士,南亞科和華邦則是陸續(xù)轉(zhuǎn)戰(zhàn)此領域,此外還有IC設計公司晶豪科、鈺創(chuàng)、力積,IC測試廠泰林等。

            晉華存儲器項目采用成熟制程的利基型DRAM。它避開先進工藝制程的激烈競爭,而依賴于終端應用產(chǎn)品,與中國具有全球最大的應用市場相匹配,所以未來的產(chǎn)品市場銷售相對可能易于控制。不足之處據(jù)傳是采用32納米制程啟步,以及技術(shù)上由聯(lián)電控制。

            因此從項目的達成率分析,晉華項目相對的成熟度較高,而且中方省心,省事,只要解決資金供應,以及未來產(chǎn)品的市場銷售問題。

            該項目未來最大的擔憂是中方如何盡快的由學生地位轉(zhuǎn)變成老師。


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          關鍵詞: 存儲器 NAND

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