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          鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2016-08-10
				來源：威鋒網(wǎng)
				
				
				
				
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          　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201608/295256.htm

          　　
          

          

           
          

          　　鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內(nèi)智能手機(jī)的內(nèi)存容量可能會(huì)達(dá)到如今 PC 的水平，具體來說，大概在 2020 年就會(huì)觸及 1TB。不過，這家公司并未透露自家用于移動(dòng)設(shè)備 3D 閃存芯片的發(fā)展路線圖。
          

          　　與傳統(tǒng)的 2D NAND 水平排布儲存單元不同，3D NAND 使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。
          

          　　3D NAND 閃存芯片技術(shù)并非鎂光獨(dú)有，英特爾和三星都已經(jīng)在 SSD 上應(yīng)用了這種技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品的容量只會(huì)越來越大。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            鎂光
                        NAND
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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