第二季全球DRAM總營(yíng)收成長(zhǎng)6.3%

　　受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(zhǎng)6.3%。

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(zhǎng)6.3%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般，但中國(guó)地區(qū)的智慧型手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類(lèi)別，持續(xù)向行動(dòng)式記憶體轉(zhuǎn)進(jìn)。伴隨第三季強(qiáng)勁的旺季備貨需求到來(lái)，DRAMeXchange預(yù)估第三季全球DRAM總營(yíng)收將出現(xiàn)較顯著的成長(zhǎng)。

　　以各家廠商表現(xiàn)來(lái)看，三星(Samsung)依然是DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收排行第一，營(yíng)收季成長(zhǎng)約8.7%，市占達(dá)47.4%，SK海力士DRAM營(yíng)收季成長(zhǎng)4%，市占達(dá)26.5%，排名第二。美光集團(tuán)仍位居第三，營(yíng)收季成長(zhǎng)8.8%，市占19%。

　　然而，受到銷(xiāo)售單價(jià)下跌的壓力影響，與上季相較，三星營(yíng)業(yè)獲利率由40%降至36%，SK海力士由24%下降至18%，美光集團(tuán)則因制程轉(zhuǎn)進(jìn)逐漸穩(wěn)定，營(yíng)業(yè)獲利率由-1.2%略升為-0.6%。

　　三星20奈米已穩(wěn)定的成為各產(chǎn)品線主流制程，為三大廠商當(dāng)中成本最低，而原訂2016年中要導(dǎo)入的18奈米制程則在三星控制產(chǎn)出的考量下，小幅減少投片量。三星后續(xù)的獲利策略將以提升銷(xiāo)售單價(jià)為優(yōu)先，而非一味尋求降低成本。

　　SK海力士的21奈米制程已導(dǎo)入約2個(gè)季，目前主要的量仍集中在標(biāo)準(zhǔn)型記憶體。今年下半年可更加著力在降低成本，以提高獲利表現(xiàn)。第二季美光集團(tuán)20奈米產(chǎn)出比重穩(wěn)定提升，有助于提高營(yíng)業(yè)獲利，待未來(lái)持續(xù)降低成本。吳雅婷指出，下半年因DRAM價(jià)格上漲，有望繼續(xù)提升美光集團(tuán)獲利表現(xiàn)。

　　由于第二季標(biāo)準(zhǔn)型、利基型記憶體價(jià)格跌落谷底，加上主力客戶(hù)放慢拿貨力道，導(dǎo)致南亞科營(yíng)收季衰退12.3%，但隨著新工廠Fab 3A North完工，明年上半將導(dǎo)入20奈米制程，屆時(shí)南亞科成本有望進(jìn)一步降低。

　　第二季力晶科技DRAM營(yíng)收小幅下滑6.3%，主要由于液晶驅(qū)動(dòng)器(LCD Driver)需求強(qiáng)勁，轉(zhuǎn)而減少DRAM產(chǎn)品比重所致。華邦電子第二季營(yíng)收小幅成長(zhǎng)3.3%，除46奈米比重持續(xù)提升外，利基型、行動(dòng)式記憶體皆有貢獻(xiàn)，華邦新工廠Fab C預(yù)定最大產(chǎn)能預(yù)定約1.6萬(wàn)，將進(jìn)行最新的38奈米制程，最快于明年上半進(jìn)入試產(chǎn)。