技術(shù)細(xì)節(jié)：STM32L如何實(shí)現(xiàn)超低功耗微？

　　意法半導(dǎo)體的EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)是STM32L取得業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的能效性能的關(guān)鍵。這個(gè)技術(shù)平臺(tái)也被廣泛用于意法半導(dǎo)體的8位微控制器STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)基于意法半導(dǎo)體獨(dú)有的130nm制造工藝，為實(shí)現(xiàn)超低的泄漏電流特性，意法半導(dǎo)體對(duì)該平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下，EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)可以最大限度提升能效。此外，該平臺(tái)的內(nèi)嵌閃存采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的低功耗閃存技術(shù)。這個(gè)平臺(tái)還集成了直接訪存(DMA)支持功能，在應(yīng)用系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中關(guān)閉閃存和CPU，外設(shè)仍然保持工作狀態(tài)，從而可為開(kāi)發(fā)人員節(jié)省大量的時(shí)間。

　　除最為突出的與制程有關(guān)的節(jié)能特色外，STM32L系列還提供更多其它的功能，開(kāi)發(fā)人員能夠優(yōu)化應(yīng)用設(shè)計(jì)的功耗特性。通過(guò)六個(gè)超低功耗模式，STM32L系列產(chǎn)品能夠在任何設(shè)定時(shí)間以最低的功耗完成任務(wù)。這些可用模式包括：(在1.8V/25°C環(huán)境的初步數(shù)據(jù))

　　10.4μA低功耗運(yùn)行模式，32kHz運(yùn)行頻率

　　6.1 μA低功耗睡眠模式，一個(gè)計(jì)時(shí)器工作

　　1.3 μA 停機(jī)模式：實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)運(yùn)行，保存上下文，保留RAM內(nèi)容

　　0.5 μA 停機(jī)模式：無(wú)實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行，保存上下文，保留RAM內(nèi)容

　　1.0μA待機(jī)模式：實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行，保存后備寄存器

　　270nA待機(jī)模式：無(wú)實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行，保存后備寄存器

　　STM32L系列新增低功耗運(yùn)行和低功耗睡眠兩個(gè)低功耗模式，通過(guò)利用超低功耗的穩(wěn)壓器和振蕩器，微控制器可大幅度降低在低頻下的工作功耗。穩(wěn)壓器不依賴(lài)電源電壓即可滿(mǎn)足電流要求。STM32L還提供動(dòng)態(tài)電壓升降功能，這是一項(xiàng)成功應(yīng)用多年的節(jié)能技術(shù)，可進(jìn)一步降低芯片在中低頻下運(yùn)行時(shí)的內(nèi)部工作電壓。在正常運(yùn)行模式下，閃存的電流消耗最低230μA/MHz，STM32L的功耗/性能比最低185μA/DMIPS。

　　此外，STM32L電路的設(shè)計(jì)目的是以低電壓實(shí)現(xiàn)高性能，有效延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的充電間隔。片上模擬功能的最低工作電源電壓為1.8V。數(shù)字功能的最低工作電源電壓為1.65V，在電池電壓降低時(shí)，可以延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。