英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)洌@種拓?fù)涑Ｒ娪谶m配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。

　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將MOSFET溫度降低2到8 °C。這個新基準(zhǔn)源于一系列優(yōu)化器件參數(shù)，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。這些出色的性能優(yōu)化可以降低開關(guān)損耗,改善DPAK封裝能實(shí)現(xiàn)的最低 RDS(on)值，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計?？偠灾@有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。

　　易用性是這個產(chǎn)品家族從設(shè)計上就實(shí)現(xiàn)的固有特性。其集成式齊納二極管可大幅提升靜電防護(hù)能力，從而減少與靜電放電有關(guān)的產(chǎn)量損失。這個MOSFET擁有行業(yè)領(lǐng)先的高達(dá)3 V的V(GS)th和僅±0.5 V的最小VGS(th)波動范圍。這個組合不僅可以降低驅(qū)動電壓和開關(guān)損耗,還它有助于避免線性區(qū)內(nèi)發(fā)生意外操作。

　　供貨情況

　　800 V CoolMOS P7 MOSFET家族將提供12個RDS(on)級別和6種封裝，以全面滿足目標(biāo)應(yīng)用的需求。RDS(on)為280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ和4500 mΩ的產(chǎn)品現(xiàn)已可訂購。如欲了解更多信息，請訪問www.Infineon.com/p7。