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          LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯技術(shù)

          作者: 時間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          LSI SandForce詳細介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯方法,稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會上披露了這項全新的SHIELD技術(shù),旨在延長由更小的光刻工藝構(gòu)建的NAND的壽命。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201609/304063.htm

          像其他芯片一樣,閃速存儲器(Flash Memory)也不斷地縮小尺寸,以降低制造成本和功耗。雖然這種尺寸減小對存儲器的每GB成本有積極的影響,但也使得NAND更容易產(chǎn)生誤差。

          LSI SandForce的開發(fā)SHIELD就是要解決這些問題,通過多層次的糾錯。第一個糾錯階段,是“硬”低密度奇偶校驗,或稱HLDPC(hard low-density parity check),適用于讀請求。HLDPC的低開銷,并不影響性能,但還不足以全面捕捉所有的錯誤。

          通過HLDPC的錯誤,由五個等級的“軟”奇偶校驗(SLDPC,soft parity checks. SLDPC)層處理。SLDPC層采用先進的噪聲處理和信號處理進行糾錯,每層逐步增加更多的延遲。

          SHIELD只在驅(qū)動器認為有必要時介入,并確定使用合適的糾錯等級,基于一些LSI尚未披露的參數(shù)。如果錯誤繼續(xù)通過五層SLDPC蔓延,SHIELD還有最后一層,叫做RAISE。

          RAISE操作類似RAID的冗余方案,類似于目前的SandForce控制器利用的,但增加了10毫秒的延遲。LSI表示,這最后一級糾錯只在必要時謹慎使用,因為需要額外的處理時間。

          根據(jù)技術(shù)報告,新的芯片將在2013年第三季度被送往廠家進行采樣,所以,配備SHIELD的LSI SandForce新芯片可能會在2013年底上市。



          關(guān)鍵詞: LSI 閃存 SSD

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