臺(tái)積電晶圓代工領(lǐng)先英特爾1年！明后年獨(dú)霸10、7納米

　　臺(tái)積電、英特爾在晶圓代工領(lǐng)域正面對(duì)決，英特爾在8月宣布跟設(shè)計(jì)手機(jī)、汽車芯片的安謀(ARM Holdings)敲定代工協(xié)議，看似躍進(jìn)一大步，但分析人士認(rèn)為，英特爾整體晶圓代工能力仍落后臺(tái)積電一年之久，短期內(nèi)難以對(duì)臺(tái)積電造成實(shí)質(zhì)威脅。

　　美系外資發(fā)表研究報(bào)告指出，臺(tái)積電在技術(shù)、處理ARM制程的能力、晶圓產(chǎn)能、成本結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)彈性、資產(chǎn)負(fù)債表和整體價(jià)值方面，都比英特爾來(lái)得強(qiáng)勢(shì)。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳，但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術(shù)至少兩年，因此大概比臺(tái)積電晚了一年左右。也就是說(shuō)，英特爾短期內(nèi)難以對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)生實(shí)質(zhì)威脅。

　　相較之下，臺(tái)積電的10納米、7納米制程技術(shù)雖落后英特爾，但臺(tái)積電比英特爾提前1-2年跨入7納米制程，可借此縮短兩家公司的差距。臺(tái)積電在獨(dú)家封裝技術(shù)“整合型扇出型封裝”(integrated fan-out，InFO)的協(xié)助下，有望在2017年、2018年霸占10納米和7納米晶圓代工市場(chǎng)。

　　最新消息顯示，臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)估，7納米最快明(2017)年4月就可開(kāi)始接受客戶下單。

　　臺(tái)積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會(huì)議中，揭露未來(lái)幾年的最新研發(fā)藍(lán)圖，根據(jù)幾名資深高層的說(shuō)法，該公司今年底就會(huì)轉(zhuǎn)換至10納米，7納米則會(huì)在明年試產(chǎn)、估計(jì)明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導(dǎo)入。7納米制程可大幅提升省電效能(時(shí)脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達(dá)1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達(dá)0.4V，適用溫度約為150度。

　　報(bào)道稱，跟16FF+相較，10納米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運(yùn)算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7納米(采的應(yīng)該是FinFET制程)的運(yùn)算效能只能拉高15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠(yuǎn)不如10納米。這是因?yàn)?，臺(tái)積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米，7納米制程則大致跟英特爾的10納米相當(dāng)、甚至較遜。

　　有報(bào)道稱，臺(tái)積電高層在本周的SEMICON Taiwan國(guó)際半導(dǎo)體展表示，7納米制程有望在2018年Q1放量生產(chǎn)。臺(tái)積電從2014年初開(kāi)始投入7納米制程研究，預(yù)定2017年上半進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)(Risk Production)，再過(guò)一年后量產(chǎn)，搭載7納米芯片的消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)可同時(shí)上市。