2017年中國將推自主生產32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。

　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預計投資240億美元，分為三期建設，現(xiàn)在啟動的是第一期，主要目標是生產3D NAND閃存，2018年將啟動第二期建設，規(guī)劃是上DRAM內存芯片，2019年啟動第三期建設，主要目標是代工服務，產能也會越來越大，2020年目標是30萬片晶圓/月，2030年則是100萬片晶圓/月。

　　今年7月份的時候，紫光公司收購了新芯科技公司多數(shù)股份，成立了武漢長江存儲科技有限公司(簡稱TRST)，紫光公司控股一半多，董事長趙偉國也將擔任長江科技公司的董事長，這個項目就變成了紫光公司主導了——當初收購美光的夢想無法實現(xiàn)，收購西數(shù)硬盤的事也黃了，不過紫光現(xiàn)在總算可以正式進軍存儲芯片領域了。

　　Digitimes援引業(yè)界消息稱，長江存儲公司最快2017年底正式推出3D NAND閃存，32層堆棧結構，也就是說明年我們就有可能看到真正國產的閃存芯片了。

　　新芯科技現(xiàn)在主要生產NOR閃存，而NAND閃存比NOR閃存技術難度要高，他們的技術來源是飛索半導體(Spansion)公司。考慮到與三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術差距，國產3D NAND閃存32層堆棧的起點不低了，這幾家公司研發(fā)多年，第一代3D閃存也不過是24層堆棧，32層堆棧的還算是主流，不過等到明年的時候，48層甚至64層堆棧的3D閃存恐怕也早就問世了。

　　根據(jù)之前的報道，新芯科技預計2018年推出48層堆棧的3D閃存，那時候雖然還是追不上最頂級的水平，不過差距應該會縮小很多，國產3D閃存還有追趕的機會。