2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。

　　2015年中，國家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資240億美元，分為三期建設(shè)，現(xiàn)在啟動(dòng)的是第一期，主要目標(biāo)是生產(chǎn)3D NAND閃存，2018年將啟動(dòng)第二期建設(shè)，規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片，2019年啟動(dòng)第三期建設(shè)，主要目標(biāo)是代工服務(wù)，產(chǎn)能也會(huì)越來越大，2020年目標(biāo)是30萬片晶圓/月，2030年則是100萬片晶圓/月。

　　今年7月份的時(shí)候，紫光公司收購了新芯科技公司多數(shù)股份，成立了武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司(簡(jiǎn)稱TRST)，紫光公司控股一半多，董事長(zhǎng)趙偉國也將擔(dān)任長(zhǎng)江科技公司的董事長(zhǎng)，這個(gè)項(xiàng)目就變成了紫光公司主導(dǎo)了——當(dāng)初收購美光的夢(mèng)想無法實(shí)現(xiàn)，收購西數(shù)硬盤的事也黃了，不過紫光現(xiàn)在總算可以正式進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域了。

　　Digitimes援引業(yè)界消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司最快2017年底正式推出3D NAND閃存，32層堆棧結(jié)構(gòu)，也就是說明年我們就有可能看到真正國產(chǎn)的閃存芯片了。

　　新芯科技現(xiàn)在主要生產(chǎn)NOR閃存，而NAND閃存比NOR閃存技術(shù)難度要高，他們的技術(shù)來源是飛索半導(dǎo)體(Spansion)公司?？紤]到與三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術(shù)差距，國產(chǎn)3D NAND閃存32層堆棧的起點(diǎn)不低了，這幾家公司研發(fā)多年，第一代3D閃存也不過是24層堆棧，32層堆棧的還算是主流，不過等到明年的時(shí)候，48層甚至64層堆棧的3D閃存恐怕也早就問世了。

　　根據(jù)之前的報(bào)道，新芯科技預(yù)計(jì)2018年推出48層堆棧的3D閃存，那時(shí)候雖然還是追不上最頂級(jí)的水平，不過差距應(yīng)該會(huì)縮小很多，國產(chǎn)3D閃存還有追趕的機(jī)會(huì)。