【IAR學(xué)習(xí)】學(xué)習(xí)筆記

如果你在C代碼的頭文件里包含stdbool.h, bool數(shù)據(jù)類型也可以使用在C語(yǔ)言里。也可以使用布爾值 false和 true。不過(guò)是占用8位1個(gè)字節(jié)。

＃i nclude
＃i nclude
bool y=0;//定義位變量
void main(void)
{
y=!y;//取反位變量
PORTB_Bit3=y;//傳遞位變量
}

IAR for AVR 學(xué)習(xí)筆記（4）--Flash操作

FLASH常用類型的具體操作方法

4．1．FLASH 區(qū)域數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

用關(guān)鍵字 __flash 控制來(lái)存放， __ flash 關(guān)鍵字寫在數(shù)據(jù)類型前后效果一樣
__flash unsigned char a;//定義一個(gè)變量存放在flash空間
unsigned char __flash a;//效果同上
__flash unsigned char p[];//定義一個(gè)數(shù)組存放在flash空間
對(duì)于flash空間的變量的讀操作同SRAM數(shù)據(jù)空間的操作方法一樣，編譯器會(huì)自動(dòng)用
LPM，ELPM 指令來(lái)操作。

例：

＃i nclude
__flash unsigned char p[];
__flash unsigned char a;
void main(void)
{PORTB=p[1];// 讀flash 數(shù)組變量的操作
PORTB=a;// 讀flash 變量的操作
}

由于在正常的程序中，flash 空間是只讀的，所以沒(méi)有賦值的變量是沒(méi)有意義的。定義常數(shù)在flash 空間，只要給變量賦與初值就可以了。由于常數(shù)在flash空間的地址是隨機(jī)分配的，讀取變量才可以讀取到常數(shù)值。

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IAR-AVR –C 編譯器簡(jiǎn)要指南

__flash unsigned char a=9;//定義一個(gè)常數(shù)存放在EEPROM空間。
__flash unsigned char p[]={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個(gè)組常數(shù)存放在flash 空間。

例：

＃i nclude
__flash unsigned char p[]={1,2,3,4,5,6,7,8};
__flash unsigned char a=9;
void main(void)
{
PORTB=a;//讀取flash 空間值9
PORTC=p[0]; //讀取flash 空間值
}

4.1.2flash 空間絕對(duì)地址定位：

__flash unsigned char a @ 0x8;//定義變量存放在flash 空間0X08單元__flash unsigned char p[] @ 0x22//定義數(shù)組存放在flash 空間，開始地址為0X22單元
__flash unsigned char a @ 0x08=9;//定義常數(shù)存放在flash 空間0X08單元
__flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個(gè)組常數(shù)存放在EEPROM空間開始地址為0X22單元

由于常數(shù)在flash 空間的地址是已經(jīng)分配的，讀取flash 空間值可以用變量和地址。

4．2．與 __flash 有關(guān)的指針操作。 __flash 關(guān)鍵字控制指針的存放和類型。

4.2.1指向flash 空間的指針flash 指針（控制類型屬性）

unsigned char __flash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，8位。
unsigned int __flash * p;//定義個(gè)指向flash 空間地址的指針，16位。
unsigned int __farflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned int __hugeflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned char __flash * p;//定義一個(gè)指向flash 空間地址的指針，指針本身存放在SARM中。P的值代表flash 空間的某一地址。*p表示flash 空間該地址單元存放的內(nèi)容。例：假定p=10,表示flash空間地址10單元，而flash M空間10單元的內(nèi)容就用*p來(lái)讀取。

例：

＃i nclude
char __flash t @ 0x10 ;
char __flash *p ;
void main(void)
{
PORTB=*p;//讀取flash 空間10單元的值
PORTB=*（p+3）;//讀取flash 空間0x13單元的值
}

4.2.2．存儲(chǔ)于flash 空間的指針數(shù)據(jù)指針

就象存儲(chǔ)與flash 空間的數(shù)據(jù)一樣控制存儲(chǔ)屬性

__flash unsigned char * p; //定義指向SARMM空間地址的指針，指針本身存放在flash 中。

4．3．控制數(shù)據(jù)和指針存放的__flash 定義必須是全局變量，控制類型屬性（好像只有指針）可以是局部變量。

＃i nclude
__flash unsigned char p;//控制存放
void main(void)
{
unsigned char __flash* t;//控制屬性
PORTB=p;
PORTB=*t;
}

4．4． __root 關(guān)鍵字保證沒(méi)有使用的函數(shù)或者變量也能夠包含在目標(biāo)代碼中.

定義存放在__flash 空間的數(shù)據(jù)在程序編譯時(shí)會(huì)自動(dòng)生成代碼嵌入到flash代碼中，對(duì)于程序沒(méi)有使用也要求編譯的數(shù)據(jù)（比如可以在代碼中嵌入你的版本號(hào)，時(shí)間等）必須加關(guān)鍵字__root 限制。

例：

＃i nclude
__root __flash unsigned char p @ 0x10 =0x56;
void main(void)
{}

程序沒(méi)有使用P變量，編譯也會(huì)生成該代碼。

:020000020000FC
:1000000016C018951895189518951895189518955F
:10001000569518951895189518951895189518953A
:10002000189518951895089500008895FECF0FE94A
:100030000DBF00E00EBFC0E8D0E003D0F4DFF4DF76
:06004000F3CF01E008957A
:0400000300000000F9
:00000001FF

4．5．flash 操作宏函數(shù)：在comp_a90.h intrinsics.h頭文件里有詳細(xì)說(shuō)明。flash 空間具正常情況下有只讀性能，對(duì)于讀flash 數(shù)據(jù)編譯器會(huì)自動(dòng)編譯對(duì)應(yīng)的LPM,ELPM指令，但對(duì)于flash 空間的自編程寫命令SPM就沒(méi)有對(duì)應(yīng)的C指令了，這里不講解詳細(xì)的自編程方法，只是講解一下對(duì)flash 的讀寫函數(shù)。

直接在程序中讀取flash 空間地址數(shù)據(jù)：要包含intrinsics.h頭文件
__load_program_memory(const unsigned char __flash *);//64K空間
//從指定flash 空間地址讀數(shù)據(jù)。該函數(shù)在intrinsics.h頭文件里有詳細(xì)說(shuō)明。

在comp_a90.h文件有它的簡(jiǎn)化書寫_LPM(ADDR)。注意匯編指令LPM Rd ,Z中的Z是一個(gè)指針。所以用(const unsigned char __flash *)來(lái)強(qiáng)制轉(zhuǎn)換為指向flash空間地址指針。故該條宏函數(shù)的正確寫法應(yīng)該如下：

__load_program_memory(（const unsigned char __flash *）ADDR);

例：

＃i nclude
＃i nclude
void main(void)
{PORTB=__load_program_memory((const unsigned char __flash *)0x12);
}

該條函數(shù)書寫不方便，在comp_a90.h文件有簡(jiǎn)化：

#define _LPM(ADDR) __load_program_memory (ADDR)稍微方便一點(diǎn)。改為
#define _LPM(ADDR) __load_program_memory ((const unsigned char
__flash *)ADDR)就更方便了，直接使用數(shù)據(jù)就可以了。

例：

＃i nclude
＃i nclude
＃i nclude
void main(void)
{
PORTB=__LPM(0x12);// 從指定flash 空間地址單元0x12中讀數(shù)據(jù)
}
__extended_load_program_memory(const unsigned char __farflash *);
//128K空間_ELPM(ADDR); //128K空間

參照上面的理解修改可以書寫更簡(jiǎn)單。

4.6.自編程函數(shù)：

_SPM_GET_LOCKBITS()；//讀取縮定位
_SPM_GET_FUSEBITS()；//讀取熔絲位
_SPM_ERASE(Addr)；//16位頁(yè)擦除
_SPM_FILLTEMP(Addr,Word)；//16位頁(yè)緩沖
_SPM_PAGEWRITE(Addr；)//16位頁(yè)寫入
_SPM_24_ERASE(Addr)； //24位頁(yè)擦除
_SPM_24_FILLTEMP(Addr,Data)； //24位頁(yè)緩沖
_SPM_24_PAGEWRITE(Addr) //24位頁(yè)寫入

IAR for AVR 學(xué)習(xí)筆記（5）--SRAM操作

SARM數(shù)據(jù)類型的具體操作方法

SARM空間是AVR單片機(jī)最重要的部分，所有的操作必須依賴該部分來(lái)完成。變量在SARM空間的存儲(chǔ)模式有tiny ,small large 三種，也就是對(duì)應(yīng)于__tiny, __near __far三中存儲(chǔ)屬性。一旦選擇為哪種存儲(chǔ)模式，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)默認(rèn)屬性也就確定了，但可以采用__tiny, __near __far關(guān)鍵字來(lái)更改。

對(duì)于程序中的局部變量，編譯器會(huì)自動(dòng)處理的，我們也不可能加什么儲(chǔ)存屬性，但I(xiàn)AR提供了強(qiáng)大的外部變量定義。

5．1．定義變量在工作寄存器

IAR編譯器內(nèi)部使用了部分工作寄存器，留給用戶的只有R4-R15供12個(gè)寄存器供用戶使用，要使用工作寄存器必須在工程選項(xiàng)里打開鎖定選項(xiàng)。

例：

定義兩個(gè)變量使用工作寄存器R14，R15。

＃i nclude
__regvar __no_init char g @ 15;
__regvar __no_init char P @ 14;
void main(void)
{
g++;
P++;
}

在工程選項(xiàng)里c/c++ complier>code里打開要使用的寄存器R14-R15。

編譯結(jié)果就如下，看看是不是直接使用了寄存器做為數(shù)據(jù)應(yīng)用

// 4 void main(void)
main:
CFI Block cfiBlock0 Using cfiCommon0
CFI Function main
// 5 { g++;
REQUIRE ?Register_R14_is_global_regvar
REQUIRE ?Register_R15_is_global_regvar
INC R15
// 6 P++; }
INC R14
RET

注意：定義在寄存器里變量不能帶有初始值。最好不要使用超過(guò)9個(gè)寄存器變量，不然可能引起潛在的危險(xiǎn)，因?yàn)榻?kù)的時(shí)候沒(méi)有鎖定任何寄存器。

5．2．定義變量的絕對(duì)地址.沒(méi)有特性的變量是隨機(jī)分配的，要給變量分配地址必須加以特性修飾注意在定義地址的時(shí)候千萬(wàn)不要和片內(nèi)寄存器地址重合了。