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          DRAM戰(zhàn)國時(shí)代 長江存儲(chǔ)、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決

          作者: 時(shí)間:2016-11-16 來源:DIGITIMES 收藏

            近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn),傳已評估到南京設(shè)立12寸廠,聯(lián)電大陸廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn),并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程,至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯,由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀,大陸這三股勢力將決戰(zhàn)2018年,搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/340241.htm

            盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn),將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作,切入32層和64層3D NAND技術(shù),由于門檻較高,仍有機(jī)會(huì)急起直追國際存儲(chǔ)器大廠,然值得注意的是,全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導(dǎo)權(quán)戲碼。

            目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時(shí)代,至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖,除了長江存儲(chǔ)之外,還有聯(lián)電旗下福建晉華,其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤,第三股DRAM勢力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

            長江存儲(chǔ)與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲(chǔ)器中心角色,將統(tǒng)籌3D NAND和DRAM兩大存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展,然大陸政府傳出針對長江存儲(chǔ)DRAM布局進(jìn)行規(guī)范,若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3D NAND,但若對外購買技術(shù)則無此限制,使得長江存儲(chǔ)積極與國際大廠合作,以加速DRAM量產(chǎn),并獲得專利保護(hù)傘。

            長江存儲(chǔ)除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán),業(yè)界亦傳出正著手評估自建或并購現(xiàn)有晶圓廠的可能性,甚至有意跟隨臺(tái)積電腳步評估在南京設(shè)立12寸晶圓廠,長江存儲(chǔ)執(zhí)行長楊士寧則表示,將以并購現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

            近期武漢新芯12寸新廠已經(jīng)動(dòng)起來,單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片,涵蓋NAND Flash和DRAM芯片,然業(yè)界預(yù)期長江存儲(chǔ)兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地,最終仍會(huì)分開進(jìn)行。至于大陸另外兩個(gè)DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制,希望搶在長江存儲(chǔ)之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù),以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

            聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動(dòng)工,預(yù)計(jì)2018年進(jìn)入量產(chǎn),業(yè)界傳出大陸注資近新臺(tái)幣100億元,讓聯(lián)電在南科廠同時(shí)進(jìn)行25、30nm技術(shù)研發(fā),預(yù)計(jì)2017年底完成技術(shù)開發(fā),福建晉華則配合在2018年下半裝機(jī),屆時(shí)聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

            盡管福建晉華至少要投入25nm以下制程技術(shù),才有機(jī)會(huì)獲得大陸官方青睞,但聯(lián)電采取較謹(jǐn)慎作法,避免一下子投入25nm技術(shù)開發(fā)面臨失敗風(fēng)險(xiǎn),遂同時(shí)研發(fā)30nm作為備案。

            大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長芯,原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房,傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì),然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺(tái)幣1000億元,同時(shí)進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造,但此一作法可能有IP侵權(quán)的風(fēng)險(xiǎn)。

            目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進(jìn)行招兵買馬,并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展,希望趁著大陸DRAM主導(dǎo)權(quán)還未底定之前先卡好位,預(yù)期2018年這三大DRAM陣營將力拼量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。



          關(guān)鍵詞: DRAM 長江存儲(chǔ)

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