MRAM大勢將至　產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計劃推動

　　臺灣磁性技術(shù)協(xié)會邀請產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項技術(shù)的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認(rèn)為臺灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動的必要性。

　　在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及部分的儲存級存儲器(Storage-Class memory)市場。

　　在技術(shù)與量產(chǎn)進展上，除了剛完成IPO的Everspin已推出256Mb樣品外，另一家美國MRAM業(yè)者Avalanche技術(shù)副總懷一鳴表示，產(chǎn)品2017年便將問世，未來更將推出具備3D Xpoint堆疊結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，可望打入現(xiàn)有的儲存級存儲器市場。

　　清大電子所教授張孟凡則指出，在2017年2月國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)上，東芝(Toshiba)、日立(Hitachi)與SK海力士(SK hynix)共同發(fā)表的論文，已做出介面為LPDDR2的4Gb STT MRAM，離目前DRAM顆粒8Gb容量已經(jīng)相距不遠(yuǎn)。

　　國家研究院科技政策中心借鏡了日本2025年重點栽培技術(shù)，建立了各項科技類別的清單，并向國內(nèi)專家發(fā)放問卷調(diào)查、與各學(xué)門召集人聚焦臺灣應(yīng)投入發(fā)展的主題，自旋電子技術(shù)是最后篩選出來的重點項目。

　　產(chǎn)業(yè)界代表半導(dǎo)體協(xié)會理事長盧超群表示，未來可望從自旋電子的層級上再次改寫存儲器甚至芯片的架構(gòu)，3年前原本業(yè)界與學(xué)界便打算推動旗艦計劃，但可惜后來并未成功，如今已到了不得不起而行的時點。

　　盧超群也指出，大陸半導(dǎo)體投資基金規(guī)模超過新臺幣6,000億元，產(chǎn)業(yè)競爭上相當(dāng)不公平。臺灣去年半導(dǎo)體產(chǎn)值貢獻超過新臺幣2.1兆，若能仿效美國川普政府打算降企業(yè)稅救經(jīng)濟的措施，將營利事業(yè)所得稅收固定少部分比重支持產(chǎn)業(yè)投入MRAM等創(chuàng)新技術(shù)，受益的會是政府與勞資雙方。

　　前茂德科技發(fā)言人林育中也呼應(yīng)這項說法，建議經(jīng)濟部及科技部能整合資源形成大型產(chǎn)學(xué)合作計劃，尤其材料以及電路設(shè)計是重點，而材料研究應(yīng)仿效歐美國家大規(guī)模進行元素simulation的系統(tǒng)性篩選方式，找出可能的候選標(biāo)的。

　　臺大副校長張慶瑞則指出，臺灣目前磁性研究集中在物理系與材料系，電機科系幾乎無人投入，過去磁性領(lǐng)域培養(yǎng)的人才不足，可能會成為臺灣接下來產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸所在。2003年前交大校長張俊彥曾提大型研究計劃，但可惜未能通過，當(dāng)時若能成局如今局面將大不相同。臺灣目前應(yīng)先盤點整合現(xiàn)有的研發(fā)成果與資源。

　　清大工學(xué)院院長賴志煌也表示，除了材料領(lǐng)域以及元件制程的專家外，還需要電子電路、系統(tǒng)開發(fā)應(yīng)用領(lǐng)域的投入，自旋電子領(lǐng)域的人力需求不會只有線性增加，而是呈現(xiàn)指數(shù)型成長，人才的多寡將是重要挑戰(zhàn)。

　　對于產(chǎn)學(xué)界的呼吁，科技部次長蔡明祺表示，任內(nèi)已加強督導(dǎo)科技部管轄的各司，其中前瞻及應(yīng)用科技司負(fù)責(zé)的是國家中長期的科技計劃，過去資源投入后的成果多為專利以及論文，對于國家的幫助有限，目前正在促進研究單位內(nèi)的資源與產(chǎn)業(yè)共享，希望能夠帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，自旋電子領(lǐng)域有高度商業(yè)化價值，有助促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展，科技部將會對此研擬推動。