臺(tái)積電突然搞出個(gè)12nm：原來(lái)是第四代16nm

　　臺(tái)積電正在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝路上狂奔，目前主打16nm，正在開(kāi)始量產(chǎn)10nm，兩三年之內(nèi)將陸續(xù)上馬7nm、5nm，不過(guò)據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電還規(guī)劃了一個(gè)12nm工藝。

　　據(jù)透露，臺(tái)積電所謂的12nm，其實(shí)是現(xiàn)有16nm工藝的第四代縮微改良版本，改用全新名字，目的是反擊三星、GlobalFoundries、中芯國(guó)際等對(duì)手的14nm工藝優(yōu)勢(shì)，牢牢控制10-28nm之間的代工市場(chǎng)。

　　28nm時(shí)代開(kāi)始，臺(tái)積電就不斷改版來(lái)降低成本或提升性能，以求壓制競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，比如說(shuō)28nm工藝就先后有28LP、28HP、28HPL、28HPM、28HPC、28HPC+等眾多版本。

　　如今的16nm經(jīng)過(guò)持續(xù)改良之后，漏電率大為降低，成本也有極大改善，為此臺(tái)積電將其重新命名為12nm，搖身一變成為獨(dú)立的新工藝，自然更加誘人。

　　代工工藝進(jìn)入FinFET時(shí)代以來(lái)，臺(tái)積電16nm、三星14nm可謂棋逢對(duì)手，其實(shí)都非常優(yōu)秀，但無(wú)論是技術(shù)還是數(shù)字，臺(tái)積電都略微落后一些，因此在16nm發(fā)展到第四代，線寬微縮能力領(lǐng)先三星之后，12nm的出爐也就可以理解了。

　　值得注意的是，大陸半導(dǎo)體廠商在完成28nm布局后，下一個(gè)目標(biāo)將是卡位14nm，中芯國(guó)際預(yù)計(jì)2020年前量產(chǎn)14nm，華力微電子也規(guī)劃投產(chǎn)。

　　另外，臺(tái)積電7nm將同時(shí)推出兩個(gè)不同版本，分別針對(duì)移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算，滿足不同用戶需求。