三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開

　　2016年第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，受惠于智慧型手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收與營(yíng)業(yè)利益率也可望再創(chuàng)今年新高。

　　以各家廠商表現(xiàn)來看，由于第三季中國(guó)智慧型手機(jī)品牌對(duì)于高容量eMMC/UFS的需求強(qiáng)勁，讓三星(Samsung)成為最大贏家。三星在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領(lǐng)先同業(yè)，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品更藉出色的性價(jià)比出貨強(qiáng)勁。第三季三星NAND Flash位元出貨量季成長(zhǎng)約20%，營(yíng)收季成長(zhǎng)約20%。

　　展望2016年第四季，DRAMeXchange認(rèn)為智慧型手機(jī)的需求將帶動(dòng)高容量eMMC/UFS與eMCP的需求攀升至年度高點(diǎn)，再加上三星在用戶級(jí)、企業(yè)級(jí)SSD的市占率增加，預(yù)估第四季三星的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)將較第三季更出色。

　　同樣受惠中國(guó)智慧型手機(jī)的eMMC/eMCP需求，及其他品牌新機(jī)上市的備貨需求帶動(dòng)，使得第三季SK海力士(Hynix) NAND Flash位元出貨量季增12%，平均銷售單價(jià)更季成長(zhǎng)7%，營(yíng)收亦大幅季增20.3%，至10.61億美元。

　　SK海力士3D-NAND Flash的產(chǎn)能在今年底前將達(dá)每月2~3萬片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可開始放量出貨，第四代的3D-NAND Flash有機(jī)會(huì)在明年下半開始少量生產(chǎn)。

　　同樣受惠于整體NAND Flash市況好轉(zhuǎn)，東芝電子(Toshiba)在其會(huì)計(jì)年度2016年第二季(7~9月)位元出貨量季增15%，平均銷售單價(jià)跌幅減緩，整體營(yíng)收季增約17%，營(yíng)業(yè)利益率也呈現(xiàn)季成長(zhǎng)，營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)漸入佳境。

　　產(chǎn)能規(guī)劃部分，東芝電子現(xiàn)有第二半導(dǎo)體廠已全力生產(chǎn)3D-NAND Flash，第四季產(chǎn)能達(dá)每月4萬片，待2017年64層堆疊的3D-NAND Flash順利量產(chǎn)后，產(chǎn)能提升速度將更快，而其第六半導(dǎo)體廠房新建計(jì)畫，將從明年二月開始動(dòng)工。

　　從威騰電子(WD)的2017會(huì)計(jì)年度第一季相關(guān)NAND Flash的表現(xiàn)來看，其64層堆疊的3D-NAND Flash是投資焦點(diǎn)。目前64層堆疊的3D-NAND Flash產(chǎn)品正處OEM客戶測(cè)試階段，預(yù)計(jì)今年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產(chǎn)品上，而其48層堆疊的產(chǎn)品已在eMMC/eMCP等行動(dòng)式NAND及外插式產(chǎn)品線上量產(chǎn)。

　　現(xiàn)階段15奈米 2D-NAND Flash仍為威騰電子主流制程，良率及成本效益都已達(dá)最佳化，因此對(duì)利潤(rùn)提升有很大幫助，2017年威騰電子的NAND Flash位元產(chǎn)出成長(zhǎng)率預(yù)期將達(dá)45%。

　　美光(Micron) 2016會(huì)計(jì)年度第四季(6~8月)位元出貨量季成長(zhǎng)13%，平均銷售單價(jià)下滑1%，非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile)營(yíng)收季成長(zhǎng)約10%，至10億美元，在產(chǎn)品營(yíng)收比重上，Component base略微下降至50%、行動(dòng)式NAND產(chǎn)品微幅上升至18%、SSD則占13%，車用及其他類別占約19%。

　　美光3D-NAND Flash架構(gòu)的行動(dòng)式NAND在客戶端得到不錯(cuò)評(píng)價(jià)外，用戶級(jí)SSD也已開始量產(chǎn)出貨，而企業(yè)級(jí)SSD位元出貨量更大幅季成長(zhǎng)逾45%。此外，等到美光3D-NAND Flash (TLC)版本成為主流后，將可改善美光SSD的成本架構(gòu)。

　　第三季英特爾(Intel) NAND Flash位元出貨量大幅季增25%以上，營(yíng)收也季成長(zhǎng)17%，至6.49億美元，結(jié)束連續(xù)三季的衰退。從產(chǎn)品規(guī)劃來看，雖然英特爾16奈米與20奈米依舊為產(chǎn)品組合大宗，但自第三季起其3D-NAND Flash的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟已順利出貨放量，性價(jià)比已較上個(gè)世代產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。在產(chǎn)能規(guī)劃上，英特爾大連廠第四季產(chǎn)能約為每月1萬片，至明年開始將逐季提升。