這四大主流的高級封裝標準，誰才是主力推手？

　　現(xiàn)在，主流的高級封裝標準包括：

　　1、三星主推的Wide-IO標準

　　Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實現(xiàn)最多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率最高可達1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達68GBps，是最先進的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標市場是要求低功耗的移動設備。

　　2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM標準

　　HBM(High-Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)標準主要針對顯卡市場，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù)，當然功耗也會更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用2.5D技術(shù)把堆疊內(nèi)存芯片和GPU在載板上實現(xiàn)互聯(lián)。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標準，顯存帶寬可達512 GBps，而顯卡霸主Nvidia也緊追其后，在2016年Pascal顯卡中預期使用HBM標準實現(xiàn)1 TBps的顯存帶寬。

　　3、美光主推HMC技術(shù)

　　HMC(Hybrid Memory Cube)標準由美光主推，目標市場是高端服務器市場，尤其是針對多處理器架構(gòu)。HMC使用堆疊的DRAM芯片實現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器(memory controller)集成到DRAM堆疊封裝里。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里，所以在高端服務器里，當需要使用大量內(nèi)存模塊時，內(nèi)存控制器的設計非常復雜?，F(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi)，則內(nèi)存控制器的設計就大大地簡化了。最后，HMC使用高速串行接口(SerDes)來實現(xiàn)高速接口，適合處理器和內(nèi)存距離較遠的情況(例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上)。相較而言，Wide-IO和HBM都要求處理器和內(nèi)存在同一個封裝內(nèi)。

　　Wide-IO標準、HBM標準、HMC技術(shù)都和內(nèi)存相關，下表是有關Wide-IO， HMC， HBM及DDR標準比較。

　　Wide-IO， HMC， HBM及DDR標準比較

　　4、TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)

　　CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(Integrated Fan Out)是臺積電推出的 2.5D封裝技術(shù)，稱為晶圓級封裝。臺積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進行互聯(lián)。CoWoS針對高端市場，連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大。InFO針對性價比市場，封裝尺寸較小，連線數(shù)量也比較少。目前InFO技術(shù)已經(jīng)得到業(yè)界認可，蘋果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術(shù)。