2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價(jià)格走揚(yáng)

　　2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。

　　TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)最新研究報(bào)告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，也將持續(xù)缺貨，價(jià)格有望穩(wěn)健走揚(yáng)，使NAND Flash原廠營運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)往上。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，在今年新增產(chǎn)能及制程轉(zhuǎn)換同時(shí)進(jìn)行的情況下，業(yè)者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程轉(zhuǎn)進(jìn)，整體3D-NAND產(chǎn)出比重在年底前達(dá)到30%，而自明年起在整體投片產(chǎn)能僅年增6%的成長幅度下，多數(shù)業(yè)者將開始降低2D-NAND的供貨來達(dá)到提升3D-NAND產(chǎn)能的目標(biāo)，因此，DRAMeXchange預(yù)估，自2017年第一季起2D-NAND的供給量滑落的速度將加快，至第三季占整體NAND出貨比重將滑落至50%以下。

　　然而，在3D-NAND的進(jìn)展上，64層堆疊的3D-NAND Flash在良率與eMMC/UFS、用戶級(jí)SSD、企業(yè)級(jí)SSD等OEM產(chǎn)品的導(dǎo)入上，挑戰(zhàn)性皆增加，因此明年3D-NAND在64層堆疊的產(chǎn)品成熟前也將維持供應(yīng)吃緊的狀況，最快要到2017年第三季起才有機(jī)會(huì)成熟量產(chǎn)出貨。

　　從需求端來看，由于智慧型手機(jī)成長放緩、平板電腦出貨持續(xù)衰退，相關(guān)行動(dòng)式 NAND的需求成長動(dòng)能將改由平均搭載量(Content per box)來驅(qū)動(dòng)，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智慧型手機(jī)品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產(chǎn)品競爭力。

　　DRAMeXchange預(yù)估，2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬碟滲透率將超越50%，且企業(yè)級(jí)SSD的需求也隨著伺服器/資料中心的需求強(qiáng)勁成長而快速上揚(yáng)，再加上固態(tài)硬碟的平均搭載量也持續(xù)增加，使得2017年整體固態(tài)硬碟需求成長率將高達(dá)60%，所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關(guān)，為各項(xiàng)NAND Flash終端需求中表現(xiàn)最強(qiáng)勁的應(yīng)用。