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          臺(tái)積電戰(zhàn)將三星14nm功臣梁孟松傳將加盟SMIC

          作者: 時(shí)間:2016-12-23 來(lái)源:Digitimes 收藏

            半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)不愛名利的前共同執(zhí)行長(zhǎng)蔣尚義,赴大陸擔(dān)任中芯國(guó)際獨(dú)立非執(zhí)行董事,震驚業(yè)界,然業(yè)界又傳出投奔三星電子、與打官司多年的前資深研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松,已于第3季離開三星,近期將投入大陸半導(dǎo)體艦隊(duì),落腳處也是中芯國(guó)際。業(yè)者認(rèn)為這些臺(tái)灣半導(dǎo)體超級(jí)戰(zhàn)將紛投效大陸,似乎是為大陸半導(dǎo)體未來(lái)黃金十年做背書。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/341991.htm

            大陸大動(dòng)作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),繼瘋狂蓋12吋晶圓廠、購(gòu)并國(guó)際大廠,近期開始挖角重量級(jí)的高手加入大陸半導(dǎo)體業(yè),近期除了被點(diǎn)名的蔡力行及已經(jīng)宣布的蔣尚義外,傳出下一個(gè)要投奔大陸的是與臺(tái)積電有多年恩怨的梁孟松,業(yè)界傳出梁孟松已離開三星,最有可能落腳處是中芯國(guó)際。

            半導(dǎo)體業(yè)者指出,中芯國(guó)際先后網(wǎng)羅蔣尚義、梁孟松等半導(dǎo)體大將,都是出身臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層,中芯國(guó)際先進(jìn)制程開發(fā)嚴(yán)重落后臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries等國(guó)際大廠,雖然已研發(fā)出28納米HKMG制程,但下一世代14納米制程若自行研發(fā),恐要等到2020年才問(wèn)世。

            臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)蔣尚義已在2015年底結(jié)束顧問(wèn)職,擔(dān)任中芯國(guó)際獨(dú)立非執(zhí)行董事沒有競(jìng)業(yè)禁止的問(wèn)題,且獨(dú)董的身分無(wú)法影響到中芯的實(shí)際營(yíng)運(yùn),但業(yè)界認(rèn)為中芯先進(jìn)制程發(fā)展嚴(yán)重落后,亟需強(qiáng)力的救援者,蔣尚義的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)足以對(duì)中芯技術(shù)指點(diǎn)迷津。

            中芯為挽救先進(jìn)制程落后情況,傳出亦積極網(wǎng)羅梁孟松加入團(tuán)隊(duì),業(yè)界透露梁孟松第3季已離開三星,受到大陸半導(dǎo)體業(yè)者邀約是必然的,而中芯國(guó)際的頭號(hào)對(duì)手就是臺(tái)積電,梁孟松若投效中芯并不令人意外。

            梁孟松曾是臺(tái)積電先進(jìn)制程的頭號(hào)研發(fā)戰(zhàn)將,當(dāng)初因?yàn)槿耸律w問(wèn)題離開臺(tái)積電,被三星挖角并把FinFET技術(shù)帶到三星,雙方為此打了長(zhǎng)達(dá)4年的官司,最后是臺(tái)積電勝訴。

            梁孟松的技術(shù)專業(yè)究竟對(duì)三星14納米FinFET制程有多大貢獻(xiàn),各方說(shuō)法不同,然三星在14納米技術(shù)大躍進(jìn)是事實(shí),更因此搶下高通(Qualcomm)處理器訂單,最后連法律技術(shù)鑒定專家都認(rèn)定,三星和臺(tái)積電的FinFET關(guān)鍵制程特征相近,判定梁孟松有泄密的事實(shí)。

            中芯國(guó)際為大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭羊,被大陸官方賦予高度寄望,但中芯最大缺點(diǎn)是技術(shù)不足,遂力邀蔣尚義當(dāng)獨(dú)立董事,以及挖梁孟松補(bǔ)強(qiáng)研發(fā)技術(shù)。中芯的獨(dú)立董事陣容相當(dāng)引人注目,包括ARM全球總裁和創(chuàng)辦人Tudor Brown、EDA大廠益華(Cadence)執(zhí)行長(zhǎng)陳立武等。



          關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 14nm

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