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          新挑戰(zhàn)者中芯國際能否動搖臺積電霸主地位?

          作者: 時間:2016-12-28 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 收藏
          編者按:由于摩爾定律逼近極限,讓過去仰賴在制程上甩脫對手一個世代、降低成本綁住訂單,借以維持高毛利的作法將日益困難,因此未來朝向能管控成本的規(guī)?;瑢⒊蔀槲磥砭A代工廠豎立競爭力的方向。

            然而損害已經(jīng)造成,投入好幾年、幾千億的研發(fā)資金在一夕之間被同業(yè)超過,蘋果A9的大部分訂單更轉(zhuǎn)到了三星,對所造成的損失高達(dá)好十幾億美元,原因即是三星的14納米已超越的16納米。此外張忠謀在2014年的法說會上,坦承16納米技術(shù)被三星超前,使臺積電一度股價大跌、投資評等遭降。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/342141.htm

            這個局勢在iPhone 6s A9芯片忽然扭轉(zhuǎn),使的臺積電在蘋果A9處理器一戰(zhàn)成名。同時采用三星及臺積電制程的A9處理器在功耗上發(fā)生的顯著的差異:臺積電的芯片明顯較三星地省電,適才爆發(fā)知名的iPhone 6s芯片門爭議。這顯示著三星雖然在制程上獲得巨大的進(jìn)步,但在良率及功耗的控制下仍輸給臺積電,使得蘋果A9后續(xù)的追加訂單全到了臺積電手里;到了A10處理器,其代工訂單由臺積電全部吃下。三星雖然挖走了臺積電的技術(shù)戰(zhàn)將,但防漏電及提高良率的苦功則還是要仰賴基層生產(chǎn)時的Know-how,這也是臺積電的得意絕活。

            為什么三星的14納米會不如臺積電的16納米制程的另一個原因,在于FinFET(鰭式場效應(yīng)電晶體)先進(jìn)制程上的命名慣例被三星打破。當(dāng)初臺積電剛采用立體設(shè)計的FinFET工藝時,原本計畫按照與Intel一致的測量方法、稱為20納米FinFET,因為該代制程的線寬與前一代傳統(tǒng)半導(dǎo)體2D平面工藝20納米的線寬差不多。但三星搶先命名為「14納米」,為了不在宣傳上吃虧,臺積電改稱為「16納米」。事實上,三星與臺積電皆可稱為「20納米FinFET」。

            臺積電于2015年第4季末開始首批10納米送樣認(rèn)證,當(dāng)時僅蘋果、聯(lián)發(fā)科及海思等少數(shù)一線客戶,高通并未參與。上個月14號(2016/11),高通正式宣布下世代處理器驍龍(Snapdragon)830將采用三星的10納米制程技術(shù),原因在于:一是驍龍810上的發(fā)熱門事件即是采用臺積電制程(雖然是高通自己的芯片設(shè)計問題);二是有韓國媒體傳出, 高通以晶圓代工訂單做為交換條件,要求2017年三星旗艦機(jī)Galaxy S8須采用驍龍830 芯片。但若臺積電能在制程上再度取得優(yōu)勢,則可預(yù)期高通7納米制程將重回臺積電懷抱。

          三、巨人的沖擊,Intel


          新挑戰(zhàn)者中芯國際能否動搖臺積電霸主地位?


            全球第一大半導(dǎo)體公司Intel近幾年來,由于在個人電腦市場持續(xù)衰退、又在行動通訊市場表現(xiàn)不佳,勢必要尋找其他成長動能,以intel的定位來說,本身x86平臺已經(jīng)有完善的垂直整合生態(tài),然而ARM市場對intel可說是未開辟的市場,特別是ARM的授權(quán)模式讓intel可以直接從代工服務(wù)切入,開辟新的營收動能。

            為了重整態(tài)勢,4月時intel在公布2016年第一季財報后、宣布全球?qū)⒉脝T12000人,并宣布退出行動通訊系統(tǒng)芯片市場。此舉放棄了Atom芯片(包括Sofia處理器和預(yù)計今年上市的Broxton處理器)而用于平板的Atom X5也將逐漸淡出市場,但市場上大多人忽略的是intel早在2014年時就入股展訊,間接持有20%的股權(quán),為未來行動處理器業(yè)務(wù)鋪路意味甚深。

            8月,Intel在年度開發(fā)者大會(Intel Developer Forum, IDF)宣布開始處理器架構(gòu)供應(yīng)商ARM的IP授權(quán),并首度直接表態(tài)「英特爾專業(yè)晶圓代工正協(xié)助全球各地的客戶」,未來將開始擴(kuò)大搶食ARM架構(gòu)的代工市場。

            Intel選擇ARM Artisan平臺,說明未來ARM架構(gòu)的芯片廠都可以選擇Intel的代工服務(wù)。據(jù)Intel的官方訊息指出: Intel專業(yè)晶圓代工(Intel Custom Foundry) 將作為提供代工服務(wù)的基地,并宣布第一批產(chǎn)品將用于LG和展訊上:LG將使用Intel的10納米平臺以制造自家的64-bit ARMv8 mobile SoCs;而原先就是Intel控股的展訊則采用intel的14納米制程晶圓代工服務(wù)。

            值得一提的是,若展訊選擇Intel 14納米制程代工服務(wù),則該芯片將可能吸引三星的手機(jī)訂單──事實上三星在新興市場、比如印度,早已推出好幾款采用展訊芯片的低階智慧型手機(jī);未來14納米制程芯片可能上到中階手機(jī)采取。從一家身為IDM(Integrated Device Manufacturer, 整合元件制造)公司轉(zhuǎn)型到先進(jìn)制程晶圓代工,Intel的每一步都意欲在行動通訊市場上力挽狂瀾。

            在制程技術(shù)上,Intel確實有世界頂尖的技術(shù)工藝。國際半導(dǎo)體評測機(jī)構(gòu)Chipworks指出其14納米制程將芯片的電晶體鰭片間距做得最為緊密,真正達(dá)到了14納米,而非臺積電與三星的宣稱的16納米/14納米,事實上僅有Intel 20納米的程度;Chipworks的測驗結(jié)果也證實了其電晶體效能均領(lǐng)先其他競爭對手。

            但晶圓代工著重的不只是制程──產(chǎn)量、良率與背后的一連串支援服務(wù),才是晶圓代工真正的關(guān)鍵價值鏈,對此張忠謀也指出英特爾并不是專業(yè)晶圓代工,只是把腳伸到池里試水溫,并道:「相信英特爾會發(fā)現(xiàn)水是很冰冷的」。但亦可得知2017年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的競爭將會更為激烈。

            2017年各家晶圓代工廠的決勝點將是7納米先進(jìn)制程。10納米制程因物理局限,僅是針對降低功耗做改善,效能上難以突破。到了7納米、才會是突破10納米效能極限的先進(jìn)制程,因此被各家廠商視為決勝點。目前市場上的三大陣營臺積電、三星與格羅方德都已經(jīng)積極投入資源研發(fā)該制程,至于結(jié)果會如何,只能靜靜等待市場結(jié)果了。

           四、遙遙落后的競爭者,格羅方德


          新挑戰(zhàn)者中芯國際能否動搖臺積電霸主地位?


            格羅方德(GlobalFoundries)成立于2009年3月,是從美商超微(AMD)公司虧損連連后拆分出來的晶圓廠,加上阿布達(dá)比創(chuàng)投基金(ATIC)合資成立;AMD僅持有8.8%股份,余下大部分由ATIC持有。借助背后石油金主ATIC的資金優(yōu)勢, 四個月后收購了新加坡特許半導(dǎo)體,成為僅次于臺積電和聯(lián)電的世界第三大晶圓代工廠。

            畢竟是由AMD拆分出來的公司,格羅方德原先主要承接AMD處理器和繪圖芯片的生產(chǎn)訂單。然而2011年,AMD Bulldozer架構(gòu)的微處理器由格羅方德代工32納米制程時,因良率過低,造成原訂2011年第1季出貨的進(jìn)度,一路延誤到2011年第4季,使得后來AMD將部分訂單轉(zhuǎn)交給臺積電。

            ATIC 作為金主,持續(xù)投入高額資本在先進(jìn)制程的研發(fā)上;然而這條路走得始終不順?biāo)臁E_積電在2011年即量產(chǎn)28納米制程,格羅方德卻遲至2012下半年才正式量產(chǎn)。在14納米FinFET工藝上,格羅方德于2014年獲得三星的技術(shù)授權(quán)專利,但自主研發(fā)能力也因此遭人詬病。

            從2009年創(chuàng)立至今,格羅方德的營利始終是負(fù)數(shù),2014年的凈虧損高達(dá)15億美元。連續(xù)的巨額虧損讓石油金主也難以負(fù)擔(dān),2015年甚至傳出阿布達(dá)比因油價腰斬手頭緊、打算脫手格羅方德變現(xiàn)的傳言。

            2014年10月,IBM請格羅方德收下其虧損的芯片制造工廠、以避免支付更高額的關(guān)閉工廠遣散費與后續(xù)爭訟,并承諾在未來3年支付格羅方德現(xiàn)金15億美元。近來傳格羅方德將跳過10 納米制程,直接跳級進(jìn)軍7 納米制程,外界推測是藉由買下IBM 半導(dǎo)體事業(yè),連同取得重要技術(shù)人才與專利。

            從格羅方德取得的三星14納米制程技術(shù)、到IBM 7納米制程技術(shù),不像臺積電自主研發(fā)、以自有資金建廠,聯(lián)電與格羅方德的部分制程技術(shù)透過合作聯(lián)盟或授權(quán)而來,在出問題時很難及時調(diào)整、或找到人來收爛攤子。成立以來一路走得跌跌撞撞的格羅方德,前景尚且一片茫茫。

            五、新興競爭者——


          新挑戰(zhàn)者中芯國際能否動搖臺積電霸主地位?


            成立于2000年, 2014年底獲得中國政府300億人民幣產(chǎn)業(yè)基金支持。中芯試圖擠入臺積電,Intel這幾家所把持的半導(dǎo)體市場,然后由于財力和制程技術(shù)的不足,技術(shù)落后臺積電至少2代以上,使其始終難以承擔(dān)大型的IC設(shè)計客戶(如高通)的重要訂單。

            為了縮短技術(shù)差距,中芯找上了高通尋求技術(shù)升級協(xié)助。高通該時方被中國官方反壟斷調(diào)查、遭重罰9.75億美元,為了向中國政府示好便答應(yīng)了和中芯的合作。2015年,中芯與高通、華為成立合資企業(yè),研發(fā)自有的14納米制程技術(shù),并提出2020年前在中芯廠房投入量產(chǎn)的目標(biāo)。其中高通的投資金額達(dá)2.8 億美元,簽約時習(xí)近平還出席觀禮。

            中芯目前已于2015下半年開始量產(chǎn)28納米制程,這也是中芯的首款產(chǎn)品。該產(chǎn)線也不意外地拿到了高通驍龍410處理器的訂單。

            關(guān)于晶圓代工戰(zhàn)爭的故事就到這邊暫且告一個段落??赐炅烁骷掖髲S間的競合策略,你認(rèn)為哪一家最有可能成為下一代的領(lǐng)導(dǎo)廠商呢?

            總結(jié)


          新挑戰(zhàn)者中芯國際能否動搖臺積電霸主地位?


            由于摩爾定律逼近極限,讓過去臺積電能仰賴在制程上甩脫對手一個世代、降低成本綁住訂單,借以維持高毛利的作法將日益困難。

            加上芯片越做越小、漏電流發(fā)生的可能越大,良率也勢必跟著下跌;因此未來朝向能管控成本的規(guī)?;约耙驊?yīng)少量客制化需求的生產(chǎn)管理Know-how,將成為未來晶圓代工廠豎立競爭力的方向。

            今年七月,臺積電陸續(xù)出貨整合型扇形封裝(InFO)、跨足終端封裝技術(shù),即是臺積電邁向規(guī)模化發(fā)展的其中一步。然而封裝的人力需求比晶圓制造來得高,后續(xù)的自動化進(jìn)程將會如何,尚待未來分解。


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