紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體廠武漢動(dòng)工 總投資超240億美元

　　中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。

　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)：“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動(dòng)工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì)在那里投資一個(gè)，也是一個(gè)超過兩百億美金芯片的工廠”

　　2016年12月，紫光集團(tuán)趙偉國(guó)，布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計(jì)算中心。

　　12月30日，紫光宣布動(dòng)工，興建三座全球最大3D儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)廠，地點(diǎn)選在武漢東湖高新區(qū)，占地1，968畝，投資金額240億美元，第一期計(jì)劃2018年建成啟用投產(chǎn)，2020年全部完工，月產(chǎn)能將達(dá)到30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元。

　　趙偉國(guó)：“來滿足中國(guó)本土市場(chǎng)，和國(guó)家戰(zhàn)略以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。”

　　這項(xiàng)投資計(jì)劃，引發(fā)市場(chǎng)震撼，尤其是投資方面，結(jié)合紫光集團(tuán)、中國(guó)國(guó)家集成電路大基金，還有地方政府共同出資，可說以國(guó)家戰(zhàn)略推動(dòng)，結(jié)合市場(chǎng)企業(yè)運(yùn)作的合作模式。

　　臺(tái)經(jīng)院產(chǎn)業(yè)顧問 劉佩真：“不過如果就中長(zhǎng)期來看，中國(guó)在記憶體的一個(gè)市場(chǎng)，勢(shì)必會(huì)進(jìn)行零到壹的突破，勢(shì)必會(huì)打破目前Nand Flash，由韓國(guó)日本跟美國(guó)業(yè)者寡占的一個(gè)局面，其實(shí)都會(huì)帶來比較大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。”

　　全球快閃記憶體主要廠商，包括南韓三星、SK海力士，美國(guó)旗下英特爾、美光，以及日本東芝，產(chǎn)量各自約占四萬片到十萬片，近期不約而同喊話加碼擴(kuò)廠，如今紫光也宣布2018年投產(chǎn)下，恐怕引發(fā)產(chǎn)能競(jìng)賽，市場(chǎng)供過于求。

　　尤其紫光的下一步，恐怕將跨足DRAM制造，找來高啟全擔(dān)任重要高層干部，預(yù)料對(duì)半導(dǎo)體業(yè)界人才挖角態(tài)勢(shì)，會(huì)更加明顯。