紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工 總投資超240億美元

　　中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。

　　紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠”

　　2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。

　　12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠，地點選在武漢東湖高新區(qū)，占地1，968畝，投資金額240億美元，第一期計劃2018年建成啟用投產(chǎn)，2020年全部完工，月產(chǎn)能將達到30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元。

　　趙偉國：“來滿足中國本土市場，和國家戰(zhàn)略以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。”

　　這項投資計劃，引發(fā)市場震撼，尤其是投資方面，結合紫光集團、中國國家集成電路大基金，還有地方政府共同出資，可說以國家戰(zhàn)略推動，結合市場企業(yè)運作的合作模式。

　　臺經(jīng)院產(chǎn)業(yè)顧問 劉佩真：“不過如果就中長期來看，中國在記憶體的一個市場，勢必會進行零到壹的突破，勢必會打破目前Nand Flash，由韓國日本跟美國業(yè)者寡占的一個局面，其實都會帶來比較大的競爭壓力。”

　　全球快閃記憶體主要廠商，包括南韓三星、SK海力士，美國旗下英特爾、美光，以及日本東芝，產(chǎn)量各自約占四萬片到十萬片，近期不約而同喊話加碼擴廠，如今紫光也宣布2018年投產(chǎn)下，恐怕引發(fā)產(chǎn)能競賽，市場供過于求。

　　尤其紫光的下一步，恐怕將跨足DRAM制造，找來高啟全擔任重要高層干部，預料對半導體業(yè)界人才挖角態(tài)勢，會更加明顯。