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          中芯國際正式出樣40nm ReRAM芯片

          作者: 時(shí)間:2017-01-17 來源:電子工程世界 收藏

            目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與達(dá)成合作,發(fā)力中國市場。其中,將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)芯片。近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,正式出樣40nm工藝的芯片。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/342954.htm

            據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng),密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ),還具備結(jié)構(gòu)簡單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。

            另外,按計(jì)劃更先進(jìn)的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世。



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