存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場(chǎng)以“匠心獨(dú)運(yùn)，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對(duì)為什么選擇發(fā)展存儲(chǔ)、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問(wèn)題，作了深刻的分析。

　　為什么中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)

　　在詳細(xì)介紹為什么中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據(jù)他的說(shuō)法，在全球的半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品中，NAND 和 DRAM的產(chǎn)值占全球存儲(chǔ)總額的95%。

　　而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用的發(fā)展，未來(lái)NAND的需求會(huì)持續(xù)增加，這就意味在可見(jiàn)的未來(lái)里，存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求量的大增，會(huì)帶來(lái)龐大的市場(chǎng)價(jià)值。

　　中國(guó)作為全球的制造基地，在存儲(chǔ)方面的消耗量是驚人的。根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)存儲(chǔ)器的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當(dāng)中能由國(guó)產(chǎn)廠商供應(yīng)的存儲(chǔ)產(chǎn)品則是屈指可數(shù)。楊士寧表示，目前全球的存儲(chǔ)產(chǎn)品(包括DRAM和Flash)都是由幾家廠商承包，這個(gè)對(duì)于發(fā)展自主可控的中國(guó)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。因此發(fā)展國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)就被提上給了日程。

　　從另一方面看，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)的高度集中，缺少?gòu)?qiáng)力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，尤其是三星電子在DRAM和NAND上面的全球壟斷，讓很多終端廠商有了顧慮，不少的同行競(jìng)爭(zhēng)者也是有了其他想法，這就促使具有龐大存儲(chǔ)消耗量的中國(guó)去發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)。

　　再加上國(guó)家推行集成電路發(fā)展綱領(lǐng)，成立國(guó)家大基金支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。于是存儲(chǔ)就成為了發(fā)展的重點(diǎn)。

　　就這樣，以發(fā)展國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)為目的的長(zhǎng)江存儲(chǔ)順勢(shì)成立。

　　為什么以3D NAND作為突破口

　　在選定而來(lái)聚焦存儲(chǔ)方向以后，接下來(lái)就要選擇合適的產(chǎn)品方向，尋求更好的突破。

　　楊士寧指出，選擇3D NAND作為突破口，是企業(yè)需求、外部機(jī)遇和市場(chǎng)動(dòng)力的吻合。這是個(gè)技術(shù)的問(wèn)題，更是個(gè)經(jīng)濟(jì)的問(wèn)題。

　　他在演講中表示，NAND和DRAM都是需要的存儲(chǔ)產(chǎn)品，但是考慮到DRAM有兩個(gè)增加難度：1.競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有大量折舊完的產(chǎn)能，這樣的問(wèn)題也發(fā)展在2D NAND上;需求增長(zhǎng)相對(duì)緩慢，因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)就選擇了增量巨大，且全球的廠商正在追逐的3D NAND產(chǎn)品作為突破口。

　　再加上看一下全球競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的布局，與2D NAND和DRAM不一樣，前者是一個(gè)高度成熟的市場(chǎng)，且在那個(gè)維度沒(méi)有什么突破，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的深厚布局，讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)沒(méi)有更多的機(jī)會(huì)。而3D NAND 相對(duì)來(lái)說(shuō)，則是一個(gè)很好的機(jī)遇。

　　會(huì)面臨什么樣的挑戰(zhàn)?

　　楊士寧指出，我們要明確一點(diǎn)，由于對(duì)高學(xué)歷人才和高端設(shè)備的需求，IC制造是一個(gè)耗資巨大的產(chǎn)業(yè)，這是需要面臨的第一個(gè)挑戰(zhàn)。

　　其次，從存儲(chǔ)產(chǎn)品的的發(fā)展來(lái)看，在未來(lái)的發(fā)展也要面臨多方面的挑戰(zhàn)。

　　其中包括了制程，cell架構(gòu)，集成度、可靠性、陣列架構(gòu)和芯片設(shè)計(jì)等多方面的挑戰(zhàn)，尤其是對(duì)于基礎(chǔ)懦弱的中國(guó)來(lái)說(shuō)，挑戰(zhàn)更是巨大。

　　怎樣才能成功

　　在找準(zhǔn)了方向，認(rèn)識(shí)到了和國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，知道了技術(shù)的挑戰(zhàn)所在之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的下一步就是如何發(fā)揮自己的優(yōu)勢(shì)，取長(zhǎng)補(bǔ)短，收獲成功了。

　　楊士寧指出，要成功必須要做到這三點(diǎn)，那就是找對(duì)人，砸對(duì)錢，做對(duì)事，這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)堅(jiān)持的做事準(zhǔn)則。

　　從現(xiàn)狀看來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成果。

　　“長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層 3D NAND產(chǎn)品目前進(jìn)展順利，生產(chǎn)的產(chǎn)品指標(biāo)都非常良好，并將會(huì)在2019年實(shí)現(xiàn)滿載產(chǎn)能，這對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。”楊士寧說(shuō)。

　　對(duì)于未來(lái)的發(fā)展方向，楊士寧指出，未來(lái)3D NAND帶來(lái)的挑戰(zhàn)還是巨大的，但是長(zhǎng)江存儲(chǔ)不會(huì)簡(jiǎn)單跟隨業(yè)界的步伐發(fā)展，而是選擇通過(guò)跳躍式的發(fā)展，展望到2019年實(shí)現(xiàn)與世界前沿的半代技術(shù)差距，2020追上世界領(lǐng)先技術(shù)。