大陸今年晶圓廠建廠支出占全球7成

　　SEMI 17日提出最新報(bào)告，強(qiáng)調(diào)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在臺(tái)積電領(lǐng)軍下，整體產(chǎn)能全球市場(chǎng)份額將逾20%，明年正式超越日本，成為全球最大制造重心。

　　SEMI指出大陸積極建置晶圓廠產(chǎn)能，去年前段晶圓代工設(shè)備投資占全球比重已拉升到 19%，晶圓廠建廠支出金額達(dá) 20 億美元，預(yù)期今年相關(guān)投資金額將倍增至 40 億美元，占今年全球晶圓廠蓋廠金額 7 成。

　　根據(jù)統(tǒng)計(jì)，中大陸2012 年開始，晶圓設(shè)備支出金額與建廠投資金額快速成長(zhǎng)，占全球設(shè)備投資金額比重，自 5 至 7% 一路往上攀升，至去年底止大陸晶圓設(shè)備投資金額已占全球比重達(dá) 19%。

　　SEMI 表示，今年全球晶圓廠建廠支出金額估較去年下滑 17-18%，但大陸逆勢(shì)成長(zhǎng)，展現(xiàn)雄心壯志擴(kuò)充當(dāng)?shù)鼐A廠規(guī)模，換算今年全球晶圓建廠支出金額中，大陸占比高達(dá) 7 成，預(yù)期當(dāng)?shù)亟◤S支出金額將持續(xù)成長(zhǎng)至明年。

　　大陸展現(xiàn)雄心，逾20座晶圓廠宣布興建，估計(jì)2019年全球產(chǎn)能市占率將推升至18~19%，進(jìn)逼臺(tái)灣，值得關(guān)注。

　　SEMI預(yù)估今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在3D NAND Flash和晶圓代工廠持續(xù)沖擊產(chǎn)能下，將擺脫去年疲弱，恢復(fù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，預(yù)估年產(chǎn)值將超過3,600億元，年增5~7%。

　　SEMI仍看好臺(tái)灣持續(xù)在全球半導(dǎo)體扮演重要地位，尤其臺(tái)積電今年資本支出持續(xù)維持在100億美元高檔，在中科沖刺10nm及7nm產(chǎn)能;聯(lián)電也擴(kuò)增28nm產(chǎn)能，預(yù)料將使臺(tái)灣在全球產(chǎn)能占有率明年超過20%，正式超越日本，成為全球半導(dǎo)體制造重心。

　　不過大陸也急起直追。SEMI調(diào)查，大陸包括中外資在內(nèi)，去年宣布逾20個(gè)晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)料在2018年到2019年密集投產(chǎn)，使大陸晶圓廠的產(chǎn)能全球市占率，達(dá)到18%~19%，緊隨臺(tái)灣和日本之后，名列全球第三位。

　　大陸啟動(dòng)驚人的晶圓廠投資，成為全球半導(dǎo)體設(shè)備支出成長(zhǎng)最快速的地區(qū)，預(yù)估2018年全年資本支出將超過100億美元，金額超過臺(tái)積電，主力集中于存儲(chǔ)器包括3D NAND Flash及晶圓代工，主要投資廠商包括紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，和中芯國(guó)際、華力微電子，揚(yáng)子江儲(chǔ)存和兆易創(chuàng)新等，預(yù)估2019年光是陸企半導(dǎo)體廠的資本支出，會(huì)超越外資企業(yè)在大陸投資，追趕臺(tái)灣和日本，成為全球半導(dǎo)體制造龍頭的企圖旺盛。

　　SEMI臺(tái)灣資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆表示，大陸大舉投入半導(dǎo)體制造，今明兩年逾20個(gè)晶圓廠將投入興建，雖然還未能詳細(xì)評(píng)估各家企業(yè)的具體投資計(jì)劃，不過從目前臺(tái)面上的投資行動(dòng)來看，主要鎖定臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和華力微電子等晶圓廠。

　　SEMI引用顧能預(yù)估數(shù)字，看好今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成長(zhǎng)5~7%，有機(jī)會(huì)達(dá)到3641億美元的高標(biāo)，恢復(fù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，主要受惠于存儲(chǔ)器單價(jià)上揚(yáng)以及整體IC出貨量增加。

　　SEMI指出，細(xì)分各產(chǎn)品類別的成長(zhǎng)動(dòng)能，其中存儲(chǔ)器成長(zhǎng)力道居冠，預(yù)估將達(dá)到17.8%的成長(zhǎng)率，其次為NOS達(dá)10%、光學(xué)5.8%、ASIC 5.3%、GP Logic 4.1%、模擬3.7%等。