40nm ReRAM芯片正式出樣 中芯國(guó)際向上走勢(shì)頭勁

　　在經(jīng)過(guò)2016的一系列擴(kuò)張之后，近日，Crossbar與中芯國(guó)際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示，中芯國(guó)際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個(gè)百分點(diǎn)至6%。中芯國(guó)際表現(xiàn)愈發(fā)給力，在追趕臺(tái)積電、GF等一線大廠向上走的道路上勢(shì)頭強(qiáng)勁。

　　出樣40nm ReRAM芯片

　　近日，Crossbar與中芯國(guó)際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣。據(jù)介紹，ReRAM的名字中帶RAM，不過(guò)ReRAM其實(shí)更像NAND閃存那樣用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，只不過(guò)它的性能更強(qiáng)，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。另外，更先進(jìn)的28nm ReRAM芯片也將會(huì)在2017年上半年問(wèn)世。

　　居全球晶圓代工第四名

　　據(jù)IC Insights“2017年McClean報(bào)告”預(yù)測(cè)，2016-2021年晶圓代工市場(chǎng)將以7.6%的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)，從2016年的500億美元增長(zhǎng)到2021年的721億美元。以下為全球晶圓代工廠最新排名預(yù)測(cè)：

　　在前十榜單中，臺(tái)灣共有四家企業(yè)上榜，大陸兩家，美國(guó)、韓國(guó)、以色列、德國(guó)各有一家上榜。

　　2016年，前四大晶圓代工廠臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)華電子和中芯國(guó)際占全球市場(chǎng)總量的85%。其中，臺(tái)積電獨(dú)占全球晶圓代工市場(chǎng)59%的份額，格羅方德、聯(lián)華電子和中芯國(guó)際三家合并市場(chǎng)份額占26%。

　　目前IC代工廠主要有兩類客戶，F(xiàn)abless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等，和IDM廠商例如ON，ST，TI，Toshiba等。

　　自1988年以來(lái)，IC代工廠的成功主要通過(guò)IDM外包的形式促進(jìn)銷售增長(zhǎng)。此外，大量新增的中小型IC公司偏愛(ài)Fabless的商業(yè)模式，包括富士通，IDT，LSI公司，Avago和AMD在過(guò)去幾年中成長(zhǎng)為Fabless廠商。

　　半導(dǎo)體行業(yè)大將蔣尚義加盟

　　上月21日，中芯國(guó)際在港交所公布，臺(tái)積電前共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)、資深研發(fā)副總蔣尚義已與公司簽訂服務(wù)合約，出任獨(dú)立非執(zhí)行董事職位。中芯指出，依照服務(wù)合約，蔣尚義有權(quán)獲得年度酬金4萬(wàn)美元，以及18.75萬(wàn)可供認(rèn)購(gòu)普通股、18.75萬(wàn)受限制股份。

　　蔣尚義在半導(dǎo)體行業(yè)工作40年，在臺(tái)積電工作期間主要負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)，先后擔(dān)任過(guò)研發(fā)副總裁、共同首席營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)及董事長(zhǎng)顧問(wèn)等職，牽頭了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。在臺(tái)灣半導(dǎo)體工業(yè)界和臺(tái)積電的威望很高，一度是外界呼聲最高、最看好的接班人選，對(duì)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展有非常深刻的理解。

　　勇?tīng)?zhēng)前三

　　中芯國(guó)際成立于2000年， 2014年底獲得中國(guó)政府300億人民幣產(chǎn)業(yè)基金支持。中芯試圖擠入臺(tái)積電，Intel這幾家所把持的半導(dǎo)體市場(chǎng)，然后由于財(cái)力和制程技術(shù)的不足，技術(shù)落后臺(tái)積電至少2代以上，使其始終難以承擔(dān)大型的IC設(shè)計(jì)客戶(如高通)的重要訂單。

　　然而，由于受中國(guó)反壟斷調(diào)查的壓力，高通在2015年選擇與中芯國(guó)際合作，幫助后者提升工藝制程，同時(shí)將部分芯片訂單交給后者。在高通的幫助下，中芯國(guó)際的28nm工藝迅速在2015年量產(chǎn)，更在去年成功將工藝改進(jìn)到28nm HKMG，與聯(lián)電處于同一水平。

　　據(jù)分析，中芯的28nm制程，占其2016年產(chǎn)能比重未達(dá)1%，營(yíng)收比重則在2%以內(nèi)，但2017年占營(yíng)收比重可望明顯增加到10%以上。預(yù)估2017年中芯28nm產(chǎn)能的80%仍是集中在中低階應(yīng)用。

　　中芯的營(yíng)收成長(zhǎng)率在全球前五大晶圓代工廠中已居第一，由于大陸對(duì)芯片自給訂定積極目標(biāo)加上本土需求龐大，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年中芯仍將維持較高的產(chǎn)能擴(kuò)張速度。中芯在2016年的投資金額達(dá)25億美元，已超越聯(lián)電。