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          耗費巨資購買EUV光刻機 臺積電有何打算?

          作者: 時間:2017-01-23 來源:經(jīng)濟日報 收藏
          編者按:臺積電、三星與英特爾之間先進制程的戰(zhàn)局依舊如火如荼的展開,三方比拼毫不手軟。

            據(jù)報導,艾司摩爾(ASML)上周公布上季財報亮眼,并宣布已接到新一代極紫外光(EUV)微影機臺六部訂單,有分析師推測,可能訂走了其中五臺,即一口氣買下5.5億美元的設備。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/343210.htm

            EUV機臺每臺價值1.1億美元。研究半導體設備業(yè)者的Summit Redstone Partners分析師耶爾(Jagadish Iyer)說:“我們相信他們(ASML)處于轉折點,除非相信技術已經(jīng)成熟,沒有業(yè)者會同時買下每臺1.1億美元的機臺?!彼J為是一口氣訂購五臺的客戶是。

            半導體顧問公司(SA)半導體分析師梅爾(RobertMaire)估計,ASML今年12部EUV機臺的產(chǎn)能已滿載。耶爾認為,今年半導體設備支出可能超過業(yè)界預測的350億美元,他說,三星電子為奪回的訂單,將會設法趕上并爭取半導體的生意。

          耗費巨資購買EUV光刻機 臺積電有何打算?


            臺積電為什么要耗費巨資購買EUV?

            我們都知道半導體工藝越先進越好,用以衡量工藝進步的就是線寬,常說的xx nm工藝就代表這個,這個數(shù)字越小就代表晶體管越小,晶體管密度就越大。現(xiàn)在半導體公司已經(jīng)進軍10nm工藝,但面臨的物理限制越來越高,半導體工藝提升需要全新的設備。EUV極紫外就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工藝的關鍵。因此臺積電對EUV那么捉急。

          耗費巨資購買EUV光刻機 臺積電有何打算?


            而在這些工藝上的快讀推進,謀求領先,也是臺積電那么積極購買EUV的原因之一。

            臺積電聯(lián)系CEO劉德音在2016年的某個會議上公布了TSMC的2020路線圖,認為EUV光刻工藝在2020年時能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本,TSMC計劃在5nm節(jié)點上應用EUV工藝以提高密度、簡化工藝并降低成本。

            目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節(jié)點研發(fā)上使用了EUV工藝,實現(xiàn)了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400在運行,2017年Q1季度還會再購買2臺。

            之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機,目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)。

            EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵,但進展一直比較緩慢,至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節(jié)點就能用上EUV工藝,之后又說7nm節(jié)點量產(chǎn)EUV工藝,但現(xiàn)實情況并沒有這么樂觀,現(xiàn)在他們的說法也是2020年的5nm節(jié)點,跟Intel的預計差不多了。

            TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個客戶完成流片,雖然沒公布客戶名稱,但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯(lián)發(fā)科X30(被海思、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了)以及海思新一代麒麟處理器,流片的估計就是這三家了。

            TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片,該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。

            至于7nm,TSMC表示他們已經(jīng)提前256Mb SRAM芯片,進展順利,CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色,已經(jīng)有高性能客戶預計在2017年上半年流片,正式量產(chǎn)則是在2018年。

            至于5nm,臺積電表示,在制程基地塵埃落定后,最快今年就可動工,目標則是要在2020年量產(chǎn),屆時將有望甩開三星與英特爾,獨步全球。

            臺積電南科廠目前主力制程為16納米,后續(xù)10納米及7納米則是放在中科,而接續(xù)的5納米制程將會由南科廠來擔綱。臺積電廠務處處長莊子壽表示,5 納米制程為未來2~3 年的計畫,目前仍在發(fā)展中。而關于廠區(qū)部分,則是規(guī)劃占地約40 公頃,投資金額上千億元,待臺積電董事會通過后就會啟動,最快今年將動工。

            據(jù)悉,南科環(huán)差案能順利通過的原因,是因為南科承諾未來將采用每日3.25噸的再生水取代農(nóng)業(yè)用水,包括永康再生水的1.25萬噸及日后臺積電將投資20億元自設再生水廠,供應2萬噸再生水,供5納米制程使用。

            環(huán)評委員李育明表示,南科環(huán)差案自2014年底,歷經(jīng)2年審查。因臺積電更新半導體制程,需增加用水用電量,因此依規(guī)定須辦理環(huán)差變更,如今環(huán)保署順利通過南科環(huán)差案,也讓臺積電在未來的競爭布局上再下一城,又往前推進一步。

            臺積電自去年底陸續(xù)斬獲好消息,在晶圓代工方面仍穩(wěn)居龍頭寶座,市占率逼近六成,大幅領先格羅方德的11%與聯(lián)電的9%。而半導體研究機構ICinsights更看好晶圓代工將在2021年達到721億美元的市場,對身為該領域龍頭的臺積電來說將是一大利多。

            從近期“戰(zhàn)況”來看,在10納米制程上,臺積電已趕在去年Q4進入量產(chǎn)階段,最快今年Q1就可挹注營收。而三星進度則是與之不相上下,至于去年靜悄悄的英特爾則是在今年CES展前記者會上才推出10納米產(chǎn)品。但是業(yè)界仍看好臺積電在良率穩(wěn)定度上的優(yōu)勢,且在產(chǎn)能上亦具有經(jīng)濟規(guī)模優(yōu)勢,因此臺積電仍將在10納米市場上技高一籌。

            至于7納米布局,臺積電則是狠狠甩開三星,據(jù)傳將在今年Q1正式展開試產(chǎn)。據(jù)了解,目前臺積電7納米試投片情況十分順利,包括賽靈思(Xilinx)、英偉達(NVIDIA)均將采用外,高通(Qualcomm)也傳出將在7納米重回臺積電投片。

            而業(yè)界則預估,臺積電7納米將在2018年正式進入量產(chǎn),屆時將正式超越英特爾(Intel)7納米量產(chǎn)時程超過兩年。早前英特爾因征才啟示意外透露該公司可能于2021年才進行7納米量產(chǎn),也就是說,若臺積電5納米順利在2020年量產(chǎn),這將使臺積電一舉超越勁敵英特爾,并將其推上在先進芯片科技上的領導地位。



          關鍵詞: 臺積電 光刻機

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